半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置

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	半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置
其他题名	半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置
	高山徹; 玉井誠一郎
	2002-12-20
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2002-12-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】基本横モード発振、レーザ光の高出力を維持しつつも、CODが発生せずに水平広がり角が小さくならないような半導体レーザ及びその半導体レーザを用いた光ピックアップ装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上にバッファ層2、第1クラッド層3、活性層4、第2クラッド層5及び第3クラッド層6が順次形成されている。第3クラッド層6上に電流狭窄のためにストライプ状の窓7aが形成された電流ブロック層7が形成され、窓7aを含めた電流ブロック層7上に第4クラッド層8が形成され、第4クラッド層8上にはコンタクト層9が形成されている。また、基板1の裏面にはn電極10が形成され、コンタクト層9上にはp電極11が形成されている。さらに、レーザ光の出射端面14に、略球面若しくは楕円面の一部となる曲面を有する凹部12が形成されている。
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器，其在保持基本横向模式振荡和高激光输出的同时不产生任何COD也不使其水平扩展角更小，并提供使用该激光器的光学拾取装置。解决方案：在半导体激光器中，缓冲层2，第一包层3，有源层4，第二包层5和第三包层6依次形成在基板1上。具有电流限制条纹的电流阻挡层7-在第三包层6上形成像窗口7a，在包括窗口7a的层7上形成第四包层8。然后在包层8上形成接触层9.另外，在基板1的后表面上形成n型电极10，并在接触层9上形成p型电极11。在激光器的激光发射边缘14上形成凹陷部分12，该凹陷部分12具有成为球面或椭圆体的一部分的曲面。
主权项	-
申请日期	2001-06-05
专利号	JP2002368330A
专利状态	失效
申请号	JP2001169235
公开（公告）号	JP2002368330A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/12 \| G11B7/125 \| H01S5/10
专利代理人	岩橋文雄 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60662
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	高山徹,玉井誠一郎. 半導体レーザ及びそれを用いた光ピックアップ装置. JP2002368330A[P]. 2002-12-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2002368330A.PDF（71KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文