Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 集積型光半導体装置 | |
| 其他题名 | 集積型光半導体装置 |
| 鶴田 徹; 上野 明 | |
| 2002-04-26 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2002-04-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子に接続されたワイヤによる反射光が多分割受光領域に信号光に対する雑音光である迷光となって入射するのを抑制する。 【解決手段】 半導体レーザ素子1と受光素子4を有し、半導体レーザ素子1に接続されたワイヤ8が半導体レーザ素子1により自動的に形成される光遮光領域13に形成される。または、ワイヤ8を半導体レーザ素子1からの出射光の方向とほぼ垂直方向に張る。このように、ワイヤの位置またはワイヤを張る方向を制御するという極めて簡単な方法で、ワイヤからの反射光による迷光を低減することができるためその製造効果は絶大である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过连接到半导体激光器元件的导线抑制反射光作为杂散光入射，杂散光是多分光接收区域中的信号光的噪声光。 形成半导体激光器件1和光接收器件4，并且连接到半导体激光器件1的导线8形成在由半导体激光器件1自动形成的遮光区域13中。或者，导线8在与半导体激光装置1发出的光的方向大致垂直的方向上拉伸。因此，由于通过控制导线位置或导线拉伸方向的非常简单的方法可以减少由于来自导线的反射光引起的杂散光，所以制造效果很好。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2000-10-13 |
| 专利号 | JP2002124728A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2000313181 |
| 公开（公告）号 | JP2002124728A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/022 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60526 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴田 徹,上野 明. 集積型光半導体装置. JP2002124728A[P]. 2002-04-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002124728A.PDF（26KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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