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ホログラム素子およびその製造方法、並びにそのホログラム素子を用いた半導体レーザ装置
其他题名ホログラム素子およびその製造方法、並びにそのホログラム素子を用いた半導体レーザ装置
増井 克栄
2001-09-26
专利权人SHARP CORP
公开日期2001-09-26
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 回折格子またはホログラムの溝の断面形状を理想的な形状からずらすことなく、表面での光反射を低減させるコーティング膜を設ける。 【解決手段】 透明基板7上にコーティング膜20を形成した後で、エッチングまたは2P法により溝203を形成する。溝203の側面202や角部201に不要なコーティング膜20が形成されないため、散乱光が生じて光の利用効率が低下したり、半導体レーザ装置において信号対雑音比が低下することはない。
其他摘要要解决的问题:形成涂膜,其减少表面上光的反射,而不会使衍射光栅或全息图的凹槽的横截面形状偏离理想形式。解决方案:在透明基板7上形成涂膜20之后,通过蚀刻或2P方法形成凹槽203。由于在沟槽203的侧面202或角部201上没有形成不需要的涂膜20,因此可以避免由于散射光导致的光利用效率的降低或半导体激光装置中的信噪比的降低。
主权项-
申请日期2000-03-21
专利号JP2001264541A
专利状态失效
申请号JP2000079179
公开(公告)号JP2001264541A
IPC 分类号G03H1/04 | G11B7/135 | G02B5/32 | H01S5/022
专利代理人山本 秀策
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60387
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
増井 克栄. ホログラム素子およびその製造方法、並びにそのホログラム素子を用いた半導体レーザ装置. JP2001264541A[P]. 2001-09-26.
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