半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光情報処理装置

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	半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光情報処理装置
其他题名	半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光情報処理装置
	田中俊明
	2000-05-12
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2000-05-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は、光情報処理装置の光源に適する高出力安定動作できる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子の導波路ストライプに透明埋め込み構造を適用することにより構成する。【効果】本発明の実施例によると、本手法を用いて基本特性を損なうことなく高出力特性を安定に得ることができ、基本横モードの不安定性を改善してパルス電流に対する直線性良好な半導体レーザ素子を提供できた。これにより本素子では、最高光出力をシステム上の駆動光出力に比べて十分大きく確保しながら、光ディスクドライブ装置の駆動電源のパルス電流波形通りに高速応答する実用性の高い光情報処理装置の光源を達成した。
其他摘要	要解决的问题：减少半导体激光器在反向模式下的基波不稳定性，并在非线性上校正其光输出电流特性，以便半导体激光器件能够在高速脉冲时稳定地输出光功率通过一种方法施加电流用于驱动，其中使条纹结构用作调制条纹结构，并且利用倾斜倾斜的波导结构或双边非对称波导结构。解决方案：在形成绝缘掩模之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺去除除了层16之外的层18和17以形成脊条。此时，当脊条的宽度W1和W2分别设定为4.0至6.0μm和3.0至5.0μm宽，2和ΔW= W1-W2时，ΔW设定在0.1至5μm的范围内。米脊条的宽度周期性变化的区域设置在谐振器中，并且设置周期为3的波导。此外，使用倾斜的基板，使得由层18和17形成的脊形条纹的侧面在横截面上横向不对称，并且变成横截面横向不对称的条形波导。
主权项	-
申请日期	1999-08-06
专利号	JP2000133879A
专利状态	失效
申请号	JP1999224584
公开（公告）号	JP2000133879A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/223
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60305
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明. 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光情報処理装置. JP2000133879A[P]. 2000-05-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000133879A.PDF（209KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文