OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
光メモリヘッド
其他题名光メモリヘッド
後藤 顕也
2000-07-14
专利权人TOKAI UNIV
公开日期2000-07-14
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 高効率でレーザビームが出力され、しかも、より高い精度で大量に製造することが可能な構造を有する光メモリヘッドを提供する。 【解決手段】光メモリヘッドにおいては、略マトリックス状に多数の垂直共振器発光半導体レーザ素子1が配置され、先端がエバネッセント波を出力する出力窓となる錐状の構造を有するレーザ光送出部3が各半導体レーザ素子1上に設けられている。各半導体レーザ素子1内で発生されたマルチモードレーザ波はレーザ光送出部3の内面で反射され、レーザ光送出部3の先端の出力窓から出力されるエバネッセント波が記録媒体に向けられる。従って、記録媒体上には、多数のビームスポットが形成される。
其他摘要要解决的问题:提供一种可以有效输出激光束的光学存储头,其结构可以精确地批量生产。解决方案:在光学存储头中,多个垂直谐振器发光半导体激光器元件1以近似矩阵形状排列,并且具有锥形结构的激光束传输部分3,其中尖端成为用于输出渐逝波的输出窗口,在每个半导体激光器元件1上产生的多模激光波在每个半导体激光器元件1中产生,在激光束传输部分3的内表面上反射,并且从输出窗口输出渐逝波。在激光束传输部分3的尖端处,朝向存储器。因此,在存储器上形成许多束斑。
主权项-
申请日期1998-12-28
专利号JP2000195093A
专利状态失效
申请号JP1998372637
公开(公告)号JP2000195093A
IPC 分类号H01S5/42 | G11B7/135 | H01S5/00
专利代理人鈴江 武彦 (外5名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60241
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOKAI UNIV
推荐引用方式
GB/T 7714
後藤 顕也. 光メモリヘッド. JP2000195093A[P]. 2000-07-14.
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