一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法

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	一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法
其他题名	一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法
	杨青; 徐鹏飞; 汤明炜; 王喆超; 李海峰; 刘旭
	2017-11-24
专利权人	浙江大学
公开日期	2017-11-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种高偏振单模横向发光纳米带激光器，包括基底和放置在基底上的半导体纳米带；所述的半导体纳米带表面具有用于横向发光的微结构。本发明还公开上述高偏振单模横向发光纳米带激光器的制备方法，包括：通过化学气相沉积法制备半导体纳米带，将制备的半导体纳米带放置于基底上，将基底置于荧光显微镜光泵浦系统中，采用脉冲激光光源做为泵浦光对半导体纳米带进行激发，由所述半导体纳米带出射由低阈值横向光。本发明采用化学气相沉积法，实现单步骤批量生长制备独特纳米带结构，利用荧光显微系统对纳米带结构进行泵浦激发，可获得同时具有高偏振特性、单模特性和低阈值特性的横向发射激光。
其他摘要	本发明公开一种高偏振单模横向发光纳米带激光器，包括基底和放置在基底上的半导体纳米带；所述的半导体纳米带表面具有用于横向发光的微结构。本发明还公开上述高偏振单模横向发光纳米带激光器的制备方法，包括：通过化学气相沉积法制备半导体纳米带，将制备的半导体纳米带放置于基底上，将基底置于荧光显微镜光泵浦系统中，采用脉冲激光光源做为泵浦光对半导体纳米带进行激发，由所述半导体纳米带出射由低阈值横向光。本发明采用化学气相沉积法，实现单步骤批量生长制备独特纳米带结构，利用荧光显微系统对纳米带结构进行泵浦激发，可获得同时具有高偏振特性、单模特性和低阈值特性的横向发射激光。
主权项	一种高偏振单模横向发光纳米带激光器，其特征在于，包括基底和放置在基底上的半导体纳米带；所述的半导体纳米带表面具有用于横向发光的微结构。
申请日期	2017-07-17
专利号	CN107394582A
专利状态	申请中
申请号	CN201710583176.8
公开（公告）号	CN107394582A
IPC 分类号	H01S5/30
专利代理人	胡红娟
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57905
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浙江大学
推荐引用方式 GB/T 7714	杨青,徐鹏飞,汤明炜,等. 一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法. CN107394582A[P]. 2017-11-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107394582A.PDF（337KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文