一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法

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	一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法
其他题名	一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法
	张国峰; 杨昌钢; 韩雪; 陈瑞云; 秦成兵; 高岩; 肖连团; 贾锁堂
	2018-05-15
专利权人	山西大学
公开日期	2018-05-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法，目的是为了解决单量子点产生单光子的过程中会发生俄歇电离或者载流子俘获，从而造成单量子点荧光辐射出现荧光中断甚至荧光淬灭等现象的技术问题。本发明所采用的技术方案是：一种近红外量子点单光子源的制备方法，包括以下步骤：将盖玻片表面进行清洁；对盖玻片表面进行氨基功能化处理；将近红外单量子点通过化学键固定在盖玻片上；将单量子点浸没在保护剂中；加盖另外的一个盖玻片防止保护剂的蒸发和隔离外界环境的影响；本发明通过保护剂薄膜有效地消除近红外单量子点的电离态来有效地抑制近红外单量子点的荧光辐射中断和光漂白，从而使量子点产生稳定的单光子辐射。
其他摘要	本发明涉及一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法，目的是为了解决单量子点产生单光子的过程中会发生俄歇电离或者载流子俘获，从而造成单量子点荧光辐射出现荧光中断甚至荧光淬灭等现象的技术问题。本发明所采用的技术方案是：一种近红外量子点单光子源的制备方法，包括以下步骤：将盖玻片表面进行清洁；对盖玻片表面进行氨基功能化处理；将近红外单量子点通过化学键固定在盖玻片上；将单量子点浸没在保护剂中；加盖另外的一个盖玻片防止保护剂的蒸发和隔离外界环境的影响；本发明通过保护剂薄膜有效地消除近红外单量子点的电离态来有效地抑制近红外单量子点的荧光辐射中断和光漂白，从而使量子点产生稳定的单光子辐射。
主权项	一种近红外量子点单光子源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (a)将硼硅酸盐盖玻片分别用丙酮、氢氧化钠溶液和超纯水超声清洗，然后在450摄氏度的加热箱中焙烧15小时，并经臭氧氧化处理5小时； (b)将步骤(a)清洁后的硼硅酸盐盖玻片浸没在3μM的3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液中5小时，对硼硅酸盐盖玻片表面进行氨基功能化处理； (c)将10-10～10-9M的表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS3ML核/多壳层量子点的水溶液旋涂到氨基功能化的硼硅酸盐盖玻片表面上，使氨基与羧基通过化学反应连接在一起，从而使表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS3ML核/多壳层量子点固定到硼硅酸盐盖玻片表面上，使用超纯水超声清洗硼硅酸盐盖玻片，清除未固定的单量子点； (d)取30μL的保护剂以2500转/分钟的转速旋涂在固定有单量子点的硼硅酸盐盖玻片表面，形成一层保护剂薄膜，使单量子点完全浸没在保护剂薄膜中，并另取一硼硅酸盐盖玻片盖在保护剂薄膜之上以缓减保护剂的挥发，从而制成近红外量子点单光子源。
申请日期	2017-11-29
专利号	CN108039646A
专利状态	申请中
申请号	CN201711222318.4
公开（公告）号	CN108039646A
IPC 分类号	H01S5/34 \| G01N21/64
专利代理人	雷立康
代理机构	山西五维专利事务所(有限公司)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57669
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张国峰,杨昌钢,韩雪,等. 一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法. CN108039646A[P]. 2018-05-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108039646A.PDF（1070KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文