一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构

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	一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构
其他题名	一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构
	郑婉华; 陈忠浩; 周旭彦; 渠红伟; 齐爱谊
	2019-10-11
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-10-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上；P型限制层，配置于有源区之上，用于限制光场向P型区的扩展；P型盖层，配置于P型限制层之上，用于限制光场及降低载流子势垒；P型接触层，配置于P型盖层之上，用于与金属形成欧姆接触。
其他摘要	一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上；P型限制层，配置于有源区之上，用于限制光场向P型区的扩展；P型盖层，配置于P型限制层之上，用于限制光场及降低载流子势垒；P型接触层，配置于P型盖层之上，用于与金属形成欧姆接触。
主权项	一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括： N型衬底层，用于生长外延材料； N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上； P型限制层，配置于有源区之上，用于限制光场向P型区的扩展； P型盖层，配置于P型限制层之上，用于限制光场及降低载流子势垒； P型接触层，配置于P型盖层之上，用于与金属形成欧姆接触。
申请日期	2019-04-19
专利号	CN110323671A
专利状态	申请中
申请号	CN201910322368.2
公开（公告）号	CN110323671A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/343
专利代理人	张宇园
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57273
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,陈忠浩,周旭彦,等. 一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构. CN110323671A[P]. 2019-10-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110323671A.PDF（768KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文