一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法

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	一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法
其他题名	一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法
	张多多; 刘小峰; 邱建荣
	2019-10-18
专利权人	浙江大学
公开日期	2019-10-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法。可饱和吸收体由平面光波导和覆盖于其上的金属氧化物薄膜组成，平面光波导包括PLC芯片和光纤V型槽，金属氧化物包括ITO、FTO、AZO、IZO、GZO、IGZO，以及Ti，V，Mo，W等过渡金属的氧化物，该可饱和吸收体因所用材料的不同，工作波段可以覆盖可见到近红外波段。本发明提供了一种全新的用于各类脉冲激光器的可饱和吸收体及制备方法，具有制备方法简单、成本低、激光损伤阈值高等特点，可用广泛用于固体激光器，光纤激光器以及半导体激光器等各类激光器，用以产生最短可达百飞秒的激光脉冲。
其他摘要	本发明公开了一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法。可饱和吸收体由平面光波导和覆盖于其上的金属氧化物薄膜组成，平面光波导包括PLC芯片和光纤V型槽，金属氧化物包括ITO、FTO、AZO、IZO、GZO、IGZO，以及Ti，V，Mo，W等过渡金属的氧化物，该可饱和吸收体因所用材料的不同，工作波段可以覆盖可见到近红外波段。本发明提供了一种全新的用于各类脉冲激光器的可饱和吸收体及制备方法，具有制备方法简单、成本低、激光损伤阈值高等特点，可用广泛用于固体激光器，光纤激光器以及半导体激光器等各类激光器，用以产生最短可达百飞秒的激光脉冲。
主权项	一种基于平面光波导的可饱和吸收体，其特征在于：可饱和吸收体包括平面光波导和覆盖于平面光波导表面的金属氧化物，平面光波导主要由以石英玻璃作为衬底的PLC芯片和光纤V型槽组成，PLC芯片内刻蚀有用于光传输的波导光路，PLC芯片两侧耦合有光纤V型槽，PLC芯片表面刻蚀有用于沉积金属氧化物的凹槽。
申请日期	2019-07-10
专利号	CN110350389A
专利状态	申请中
申请号	CN201910622034.7
公开（公告）号	CN110350389A
IPC 分类号	H01S3/098 \| H01S5/065
专利代理人	林超
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57263
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浙江大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张多多,刘小峰,邱建荣. 一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法. CN110350389A[P]. 2019-10-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110350389A.PDF（428KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文