一种高功率的水平阵列式半导体激光器

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	一种高功率的水平阵列式半导体激光器
其他题名	一种高功率的水平阵列式半导体激光器
	马永坤; 李军; 席道明; 陈云; 吕艳钊; 魏皓
	2019-11-01
专利权人	江苏天元激光科技有限公司
公开日期	2019-11-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种高功率的水平阵列式半导体激光器，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；上压块、下压块设置于激光器单元两侧，呈对称设置；激光器单元设置于两个压块之间，单个激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片；电级连接片设置于激光器单元两侧；正极片设置于一端激光器单元的底面；负极片设置于一端激光器的顶面；外冷却片设置于每侧电极连接片外侧；防护板分别贴合于上压块、下压块一侧，呈对称设置。本发明电极连接片的制造工艺难度，制造成本低，散热性能好，换热效率高，保证激光器可处于高性能运行状态。
其他摘要	一种高功率的水平阵列式半导体激光器，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；上压块、下压块设置于激光器单元两侧，呈对称设置；激光器单元设置于两个压块之间，单个激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片；电级连接片设置于激光器单元两侧；正极片设置于一端激光器单元的底面；负极片设置于一端激光器的顶面；外冷却片设置于每侧电极连接片外侧；防护板分别贴合于上压块、下压块一侧，呈对称设置。本发明电极连接片的制造工艺难度，制造成本低，散热性能好，换热效率高，保证激光器可处于高性能运行状态。
主权项	一种高功率的水平阵列式半导体激光器，其特征在于，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；所述上压块、下压块设置于所述激光器单元两侧，呈对称设置，所述上压块顶面中心呈通孔状结构，形成上压块固定孔，所述压块固定孔呈直线状排列；所述上压块呈中空状结构，形成上制冷通道孔，所述上制冷通道孔横向设置于每侧所述上压块内，所述上制冷通道孔一端伸出所述上压块侧面，所述上制冷通道孔一端伸出所述上压块底面；所述下压块呈中空状结构，形成下制冷通道孔，所述下制冷通道孔横向设置于每侧所述下压块内，所述下制冷通道孔一端伸出所述下压块侧面，所述下制冷通道孔一端伸出所述下压块底面；所述上压块与所述下压块呈反向设置；所述激光器单元设置于两个所述压块之间，所述激光器单元在压块上表面沿水平方向，呈正反面横向排列设置；所述激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片，所述芯片设置于所述里冷却片表面一端，所述绝缘片设置于所述里冷却片表面另一端，所述负极连接片设置于所述绝缘片上表面；所述负极连接片两端设有制冷通道孔，所述负极连接片中心设有压块连接孔，所述负极连接片一角设有负极连接孔；所述电级连接片设置于所述激光器单元两侧，所述电极连接片呈薄片状结构，所述电级连接片两端中心呈凸块状结构，形成限位卡块，所述限位卡块与所述电级连接片固定连接，呈一体式结构，所述电级连接片两端设有电级制冷通道孔，所述电级连接片中心设有电级连接孔，所述电极连接片两角设有电级连接孔；所述电极连接片一侧贴合于一个所述激光器单元的负极连接片，所述电极连接片一侧贴合于另一个所述激光器单元的里冷却片，两个所述激光器单元通过限位卡块相隔实现限位固定；所述正极片设置于所述一端所述激光器单元的底面，所述正极片贴合于所述激光器单元的里冷却片侧；所述负极片设置于一端激光器的顶面，所述负极片贴合于所述激光器单元的负极连接片侧；所述外冷却片设置于每侧所述电极连接片外侧；所述防护板分别贴合于所述上压块、下压块一侧，呈对称设置，所述防护板上设有防护板安装孔，每个所述防护板通过紧固件贯穿防护板安装孔与所述上压块、下压块实现固定。
申请日期	2019-07-31
专利号	CN110401108A
专利状态	申请中
申请号	CN201910700435.X
公开（公告）号	CN110401108A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/024 \| H01S5/042
专利代理人	马晓辉
代理机构	南京源古知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57237
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	江苏天元激光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	马永坤,李军,席道明,等. 一种高功率的水平阵列式半导体激光器. CN110401108A[P]. 2019-11-01.

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CN110401108A.PDF（523KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文