一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法

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	一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法
其他题名	一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法
	薛正群; 苏辉; 吴林福生; 杨重英; 高家敏
	2018-12-07
专利权人	福建中科光芯光电科技有限公司
公开日期	2018-12-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上，通过PECVD沉积SiO2介质层，光刻形成不同的生长区域图案，接着通过MOCVD生长缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，完成选择区域生长。采用电子束光刻在不同选择生长区域内刻写不同周期的光栅图案，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；采用典型的掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；并光刻、腐蚀形成双沟结构，进行脊型表面开孔，电子束蒸发P面金属，减薄，蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器。本发明实现不同区域出不同的出光波长，单片上不同波长的激光器阵列。
其他摘要	本发明涉及一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上，通过PECVD沉积SiO2介质层，光刻形成不同的生长区域图案，接着通过MOCVD生长缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，完成选择区域生长。采用电子束光刻在不同选择生长区域内刻写不同周期的光栅图案，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；采用典型的掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；并光刻、腐蚀形成双沟结构，进行脊型表面开孔，电子束蒸发P面金属，减薄，蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器。本发明实现不同区域出不同的出光波长，单片上不同波长的激光器阵列。
主权项	一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1:在N-InP衬底片上，通过PECVD沉积SiO2介质层，通过光刻形成不同的选择生长区域；步骤S2:通过MOCVD生长缓冲层、波导、量子阱、光栅结构完成选择生长区域生长；步骤S3:采用电子束光刻在选择生长区域制备光栅，通过腐蚀形成周期光栅，外延再生长光栅覆盖层；步骤S4:采用掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，并去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；步骤S5:通过光刻在不同选择生长区域中间形成脊型结构，采用溴素系腐蚀溶液腐蚀脊型结构形成双沟电流限制结构，并进行脊型表面开孔；步骤S6:进行电子束蒸发P面金属，减薄，蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器的制备。
申请日期	2018-07-02
专利号	CN108963756A
专利状态	申请中
申请号	CN201810707772
公开（公告）号	CN108963756A
IPC 分类号	H01S5/343 \| G03F7/20
专利代理人	蔡学俊
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57194
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	薛正群,苏辉,吴林福生,等. 一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法. CN108963756A[P]. 2018-12-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108963756A.PDF（289KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文