一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法

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	一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法
其他题名	一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法
	薛正群; 苏辉; 黄章挺; 邓仁亮; 李敬波
	2018-12-07
专利权人	福建中科光芯光电科技有限公司
公开日期	2018-12-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上外延生长增益区；表面沉积SiO2介质层，光刻形成光场扩展结构选择生长区域，湿法腐蚀选择生长区域至衬底层；在生长增益区制备均匀布拉格光栅，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；上沉积SiO2介质层，光刻形成脊型结构，并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构，脊波导在增益区域为直波导，在光场扩展区域为锥形波导；采用MOCVD完成外延生长，并进行后续激光器制备工艺：阻挡层再生长、最后生长；双沟槽制作，脊型开孔，蒸镀P面金属、减薄、蒸镀N面金属，氮气氛围中合金，解离，蒸镀端面光学膜，完成激光器芯片的制备。本发明降低激光器芯片发散角，提高器件至单模光纤的耦合效率。
其他摘要	本发明涉及一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上外延生长增益区；表面沉积SiO2介质层，光刻形成光场扩展结构选择生长区域，湿法腐蚀选择生长区域至衬底层；在生长增益区制备均匀布拉格光栅，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；上沉积SiO2介质层，光刻形成脊型结构，并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构，脊波导在增益区域为直波导，在光场扩展区域为锥形波导；采用MOCVD完成外延生长，并进行后续激光器制备工艺：阻挡层再生长、最后生长；双沟槽制作，脊型开孔，蒸镀P面金属、减薄、蒸镀N面金属，氮气氛围中合金，解离，蒸镀端面光学膜，完成激光器芯片的制备。本发明降低激光器芯片发散角，提高器件至单模光纤的耦合效率。
主权项	一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1:在N-InP衬底片上通过MOCVD外延生长增益区; 步骤S2:采用PECVD沉积SiO2介质层，通过光刻形成选择生长区域，并在选择生长区域外延生长光场扩展区域；步骤S3:在生长增益区制备均匀布拉格光栅，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；步骤S4采用PECVD沉积SiO2介质层，光刻形成脊型结构，并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构，脊波导在增益区域为直波导，在光场扩展区域为锥形波导; 步骤S5:采用MOCVD完成外延生长；步骤S6:制备与脊型波导平行的双沟结构，并在脊型表面开孔；步骤S7:最后通过蒸镀P面金属，减薄，蒸镀N面金属，合金，解离成巴条，蒸镀光学膜，完成激光器芯片制备。
申请日期	2018-07-02
专利号	CN108963754A
专利状态	申请中
申请号	CN201810709449.3
公开（公告）号	CN108963754A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/125
专利代理人	蔡学俊
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57185
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	薛正群,苏辉,黄章挺,等. 一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法. CN108963754A[P]. 2018-12-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108963754A.PDF（315KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文