一种VCSEL芯片及制作方法

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	一种VCSEL芯片及制作方法
其他题名	一种VCSEL芯片及制作方法
	贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
	2018-11-30
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2018-11-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种VCSEL芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底划分为中间区域和包围中间区域的边缘区域；在中间区域上生长覆盖中间区域的结构层；生长氧化层，氧化层覆盖边缘区域以及覆盖结构层的侧壁和背离衬底一侧的表面；在氧化层背离结构层的一侧生长第一保护层，第一保护层部分覆盖中间区域，在氧化层背离衬底的一侧生长第二保护层，第二保护层部分覆盖边缘区域；对氧化层进行氧化处理；去除第一保护层，并在氧化层背离结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层；去除第二保护层，并制作电极结构。该制作方法降低了工艺难度，在氧化处理阶段对氧化层进行氧化处理后再生长额外的外延层结构，其氧化均匀性很容易得以控制。
其他摘要	本发明公开了一种VCSEL芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底划分为中间区域和包围中间区域的边缘区域；在中间区域上生长覆盖中间区域的结构层；生长氧化层，氧化层覆盖边缘区域以及覆盖结构层的侧壁和背离衬底一侧的表面；在氧化层背离结构层的一侧生长第一保护层，第一保护层部分覆盖中间区域，在氧化层背离衬底的一侧生长第二保护层，第二保护层部分覆盖边缘区域；对氧化层进行氧化处理；去除第一保护层，并在氧化层背离结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层；去除第二保护层，并制作电极结构。该制作方法降低了工艺难度，在氧化处理阶段对氧化层进行氧化处理后再生长额外的外延层结构，其氧化均匀性很容易得以控制。
主权项	一种VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底划分为中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；在所述中间区域上生长结构层，所述结构层全覆盖所述中间区域，所述结构层在第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述P型布拉格反射镜层；生长氧化层，所述氧化层覆盖所述边缘区域以及覆盖所述结构层的侧壁和背离所述衬底一侧的表面；在所述氧化层背离所述结构层的一侧生长第一保护层，所述第一保护层部分覆盖所述中间区域，以及，在所述氧化层背离所述衬底的一侧生长第二保护层，所述第二保护层部分覆盖所述边缘区域；对所述氧化层进行氧化处理；去除所述第一保护层，并在所述氧化层背离所述结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层，所述P型布拉格反射镜层全覆盖所述中间区域；去除所述第二保护层，并制作电极结构。
申请日期	2018-07-05
专利号	CN108923253A
专利状态	申请中
申请号	CN201810731132.X
公开（公告）号	CN108923253A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/34
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57177
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种VCSEL芯片及制作方法. CN108923253A[P]. 2018-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108923253A.PDF（1164KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文