一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器

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	一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器
其他题名	一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器
	张保平; 任伯聪; 陈衍晖; 应磊莹; 郑志威
	2018-11-30
专利权人	厦门大学
公开日期	2018-11-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜；所述电流限制层使用氧化铝材料，氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单，改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果，降低了热效应对激光器的不良影响，增强散热性，提高器件的稳定性并延长其寿命。
其他摘要	一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜；所述电流限制层使用氧化铝材料，氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单，改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果，降低了热效应对激光器的不良影响，增强散热性，提高器件的稳定性并延长其寿命。
主权项	一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，其特征在于采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜。
申请日期	2018-08-10
专利号	CN108923255A
专利状态	申请中
申请号	CN201810909143
公开（公告）号	CN108923255A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| C23C16/40 \| C23C14/08
专利代理人	马应森
代理机构	厦门南强之路专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57173
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张保平,任伯聪,陈衍晖,等. 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器. CN108923255A[P]. 2018-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108923255A.PDF（287KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文