非对称模式扩展小发散角半导体激光器

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	非对称模式扩展小发散角半导体激光器
其他题名	非对称模式扩展小发散角半导体激光器
	熊迪; 谭满清; 郭文涛; 曹营春; 赵亚利
	2018-11-27
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-11-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底之上；模式扩展层，形成于缓冲层之上；空间层，形成于模式扩展层之上；N型限制层，形成于空间层之上；下波导层，形成于N型限制层上；有源区，形成于下波导层上；上波导层，形成于有源区上；P型限制层，形成于上波导层上，与所述N型限制层的制备材料的掺杂浓度和厚度不同；第一上盖层，形成于P型限制层上；第二上盖层，形成于第一上盖层之上；第三上盖层，形成于第二上盖层上；以及欧姆接触层，形成于第三上盖层之上，通过上述非对称模式扩展小发散角半导体激光器以缓解现有技术中激光器输出光斑质量差，耦合效率低，损耗大，整形难等技术问题。
其他摘要	一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底之上；模式扩展层，形成于缓冲层之上；空间层，形成于模式扩展层之上；N型限制层，形成于空间层之上；下波导层，形成于N型限制层上；有源区，形成于下波导层上；上波导层，形成于有源区上；P型限制层，形成于上波导层上，与所述N型限制层的制备材料的掺杂浓度和厚度不同；第一上盖层，形成于P型限制层上；第二上盖层，形成于第一上盖层之上；第三上盖层，形成于第二上盖层上；以及欧姆接触层，形成于第三上盖层之上，通过上述非对称模式扩展小发散角半导体激光器以缓解现有技术中激光器输出光斑质量差，耦合效率低，损耗大，整形难等技术问题。
主权项	一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器，包括：衬底(1)；缓冲层(2)，形成于衬底(1)之上；模式扩展层(3)，形成于缓冲层(2)之上；空间层(4)，形成于模式扩展层(3)之上； N型限制层(5)，形成于空间层(4)之上；下波导层(6)，形成于N型限制层(5)上；有源区(7)，形成于下波导层(6)上；上波导层(8)，形成于有源区(7)上； P型限制层(9)，形成于上波导层(8)上，与所述N型限制层(5)的制备材料的掺杂浓度和厚度不同；第一上盖层(10)，形成于P型限制层(9)上；第二上盖层(11)，形成于第一上盖层(10)之上；第三上盖层(12)，形成于第二上盖层(11)上；以及欧姆接触层(13)，形成于第三上盖层(12)之上。
申请日期	2018-07-12
专利号	CN108899761A
专利状态	申请中
申请号	CN201810763094.6
公开（公告）号	CN108899761A
IPC 分类号	H01S5/20
专利代理人	李坤
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57165
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	熊迪,谭满清,郭文涛,等. 非对称模式扩展小发散角半导体激光器. CN108899761A[P]. 2018-11-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108899761A.PDF（408KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文