一种半导体激光器及制作方法

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	一种半导体激光器及制作方法
其他题名	一种半导体激光器及制作方法
	佟存柱; 王延靖; 张新; 舒世立; 汪丽杰; 田思聪; 王立军
	2018-11-27
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2018-11-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器及制作方法，所述半导体激光器包括：外延层结构，所述外延层结构划分为第一区域和第二区域；设置在所述第一区域和所述第二区域之间的电隔离区；设置在所述第一区域的第一波导结构；设置在所述第二区域的第二波导结构，所述第二波导结构的侧壁为锯齿形状；设置在所述第二区域背离所述第一区域一侧的准直透镜；设置在所述准直透镜背离所述外延层结构一侧的输出耦合镜。该半导体激光器通过第二波导结构侧壁的锯齿形状结构和输出耦合镜形成一个谐振腔，外延层结构背离所述准直透镜的一端面和相邻所述准直透镜的一端面形成另一个谐振腔，这两个谐振腔组合成了耦合腔，在半导体被动锁模激光器中加入这种耦合腔效应，实现了高阶的谐波锁模。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器及制作方法，所述半导体激光器包括：外延层结构，所述外延层结构划分为第一区域和第二区域；设置在所述第一区域和所述第二区域之间的电隔离区；设置在所述第一区域的第一波导结构；设置在所述第二区域的第二波导结构，所述第二波导结构的侧壁为锯齿形状；设置在所述第二区域背离所述第一区域一侧的准直透镜；设置在所述准直透镜背离所述外延层结构一侧的输出耦合镜。该半导体激光器通过第二波导结构侧壁的锯齿形状结构和输出耦合镜形成一个谐振腔，外延层结构背离所述准直透镜的一端面和相邻所述准直透镜的一端面形成另一个谐振腔，这两个谐振腔组合成了耦合腔，在半导体被动锁模激光器中加入这种耦合腔效应，实现了高阶的谐波锁模。
主权项	一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：外延层结构，所述外延层结构划分为第一区域和第二区域；设置在所述第一区域和所述第二区域之间的电隔离区；设置在所述第一区域的第一波导结构；设置在所述第二区域的第二波导结构，所述第二波导结构的侧壁为锯齿形状；设置在所述第二区域背离所述第一区域一侧的准直透镜；设置在所述准直透镜背离所述外延层结构一侧的输出耦合镜。
申请日期	2018-07-12
专利号	CN108899760A
专利状态	申请中
申请号	CN201810763803.0
公开（公告）号	CN108899760A
IPC 分类号	H01S5/065
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57164
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	佟存柱,王延靖,张新,等. 一种半导体激光器及制作方法. CN108899760A[P]. 2018-11-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108899760A.PDF（435KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文