一种VCSEL阵列芯片及制作方法

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	一种VCSEL阵列芯片及制作方法
其他题名	一种VCSEL阵列芯片及制作方法
	贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
	2018-11-23
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2018-11-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种VCSEL阵列芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上生长第一半导体层，第一半导体层包括至少两个凹槽；在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一光栅层，第一光栅层覆盖第一半导体层的侧壁；在第一光栅层背离第一半导体层的一侧形成MQW多量子阱层；在MQW多量子阱层背离第一光栅层的一侧形成第二光栅层，第二光栅层覆盖MQW多量子阱层的侧壁；在第二光栅层背离MQW多量子阱层的一侧形成第二半导体层；在第二半导体层背离第二光栅层的一侧第一保护层，第一保护层覆盖第二半导体层和第一光栅层和第二光栅层的侧壁；在多个凹槽内形成DBR反射镜结构，制作正面电极。该制作方法提高了芯片的出光效率。
其他摘要	本发明公开了一种VCSEL阵列芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上生长第一半导体层，第一半导体层包括至少两个凹槽；在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一光栅层，第一光栅层覆盖第一半导体层的侧壁；在第一光栅层背离第一半导体层的一侧形成MQW多量子阱层；在MQW多量子阱层背离第一光栅层的一侧形成第二光栅层，第二光栅层覆盖MQW多量子阱层的侧壁；在第二光栅层背离MQW多量子阱层的一侧形成第二半导体层；在第二半导体层背离第二光栅层的一侧第一保护层，第一保护层覆盖第二半导体层和第一光栅层和第二光栅层的侧壁；在多个凹槽内形成DBR反射镜结构，制作正面电极。该制作方法提高了芯片的出光效率。
主权项	一种VCSEL阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长第一半导体层，所述第一半导体层包括至少两个贯穿所述第一半导体层的凹槽；在所述第一半导体层背离所述衬底的一侧形成第一光栅层，且所述第一光栅层覆盖所述第一半导体层相邻所述凹槽的侧壁；在所述第一光栅层背离所述第一半导体层的一侧形成MQW多量子阱层；在所述MQW多量子阱层背离所述第一光栅层的一侧形成第二光栅层，且所述第二光栅层覆盖所述MQW多量子阱层的侧壁；在所述第二光栅层背离所述MQW多量子阱层的一侧形成第二半导体层；在所述第二半导体层背离所述第二光栅层的一侧形成第一保护层，且所述第一保护层覆盖所述第二半导体层的侧壁以及覆盖所述第一光栅层和所述第二光栅层的侧壁；在多个所述凹槽内形成DBR反射镜结构，以构成谐振腔体；制作正面电极。
申请日期	2018-07-05
专利号	CN108879325A
专利状态	申请中
申请号	CN201810731832.9
公开（公告）号	CN108879325A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57155
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种VCSEL阵列芯片及制作方法. CN108879325A[P]. 2018-11-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108879325A.PDF（1481KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文