单束激光的VCSEL芯片及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	单束激光的VCSEL芯片及其制备方法
其他题名	单束激光的VCSEL芯片及其制备方法
	贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
	2018-11-23
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2018-11-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种单束激光的VCSEL芯片及其制备方法。该芯片包括GaAs衬底、外延层、SiNx层、光栅层、三角形镜面、环氧树脂层以及电极；外延层生长于GaAs衬底的表面，外延层被蚀刻有凹槽以及多个相互独立的外延单元，多个外延单元沿凹槽的中心线均匀分布；SiNx层沉积于多个外延单元的表面，光栅层被制作于SiNx层的表面，三角形镜面位于凹槽内，环氧树脂层填充于三角形镜面的周围，电极连接至SiNx层的表面。其能够使得从多个外延单元发出的光可以汇聚成一束激光，从而导致单束激光的VCSEL芯片的出光功率高。该制备方法简单，获得的芯片发光可以汇聚成一束激光，出光功率高。
其他摘要	本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种单束激光的VCSEL芯片及其制备方法。该芯片包括GaAs衬底、外延层、SiNx层、光栅层、三角形镜面、环氧树脂层以及电极；外延层生长于GaAs衬底的表面，外延层被蚀刻有凹槽以及多个相互独立的外延单元，多个外延单元沿凹槽的中心线均匀分布；SiNx层沉积于多个外延单元的表面，光栅层被制作于SiNx层的表面，三角形镜面位于凹槽内，环氧树脂层填充于三角形镜面的周围，电极连接至SiNx层的表面。其能够使得从多个外延单元发出的光可以汇聚成一束激光，从而导致单束激光的VCSEL芯片的出光功率高。该制备方法简单，获得的芯片发光可以汇聚成一束激光，出光功率高。
主权项	一种单束激光的VCSEL芯片，其特征在于，其包括GaAs衬底、外延层、SiNx层、光栅层、三角形镜面、环氧树脂层以及电极；所述外延层生长于所述GaAs衬底的表面，所述外延层被蚀刻有凹槽以及多个相互独立的外延单元，多个所述外延单元沿所述凹槽的中心线均匀分布；所述SiNx层沉积于多个所述外延单元的表面，所述光栅层被制作于所述SiNx层的表面，所述三角形镜面位于所述凹槽内，所述环氧树脂层填充于所述三角形镜面的周围，所述电极连接至SiNx层的表面。
申请日期	2018-06-26
专利号	CN108879323A
专利状态	申请中
申请号	CN201810676260.9
公开（公告）号	CN108879323A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	齐云
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57154
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 单束激光的VCSEL芯片及其制备方法. CN108879323A[P]. 2018-11-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108879323A.PDF（423KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文