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一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法
其他题名一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法
贾旭涛; 赵克宁; 刘丽青; 张广明; 肖成峰
2018-11-16
专利权人潍坊华光光电子有限公司
公开日期2018-11-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法,包括如下步骤:a)平均等分成两个半圆片;b)完成覆膜;c)分割成两个等分的扇形片;d)割成两个等分的晶圆块;e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条宽度的2‑3倍,当晶圆块的宽度小于巴条宽度的2‑3倍时停止裂片,当晶圆块的宽度大于巴条宽度的2‑3倍时执行步骤f);f)沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割;g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。解决了晶圆片解巴条逐条裂片时腔面挤伤严重的问题,在保证生产效率的前提下大幅度的提高了产品质量,使成品率大幅度提高。在裂片过程中巴条P面与N面压痕减轻,保证质量,节约成本,提高了生产效率。
其他摘要一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法,包括如下步骤:a)平均等分成两个半圆片;b)完成覆膜;c)分割成两个等分的扇形片;d)割成两个等分的晶圆块;e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条宽度的2‑3倍,当晶圆块的宽度小于巴条宽度的2‑3倍时停止裂片,当晶圆块的宽度大于巴条宽度的2‑3倍时执行步骤f);f)沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割;g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。解决了晶圆片解巴条逐条裂片时腔面挤伤严重的问题,在保证生产效率的前提下大幅度的提高了产品质量,使成品率大幅度提高。在裂片过程中巴条P面与N面压痕减轻,保证质量,节约成本,提高了生产效率。
主权项一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法,其特征在于,包括如下步骤: a)将一个完整的晶圆片(2),以垂直于大解离边(2)的方向将晶圆片(2)平均等分成两个半圆片(3); b)将半圆片(3)放置到蓝膜上,完成覆膜; c)将覆膜后的半圆片(3)以取中心的方式划制第一裂片线,第一裂片线平行于大解离边(2),沿第一裂片线进行裂片操作将半圆片(3)分割成两个等分的扇形片; d)将扇形片以取中心的方式划制第二裂片线,第二裂片线平行于第一裂片线,沿第二裂片线进行裂片操作将扇形片分割成两个等分的晶圆块; e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条(4)宽度的2-3倍,当晶圆块的宽度小于巴条(4)宽度的2-3倍时停止裂片,当晶圆块的宽度大于巴条(4)宽度的2-3倍时执行步骤f); f)将晶圆块以取中心的方式划制裂片线,该裂片线平行于第二裂片线,沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割; g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。
申请日期2018-06-26
专利号CN108831850A
专利状态申请中
申请号CN201810665064.1
公开(公告)号CN108831850A
IPC 分类号H01L21/67 | H01L21/78 | H01S5/22
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57130
专题半导体激光器专利数据库
作者单位潍坊华光光电子有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
贾旭涛,赵克宁,刘丽青,等. 一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法. CN108831850A[P]. 2018-11-16.
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