垂直共振腔面射激光结构及制法

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	垂直共振腔面射激光结构及制法
其他题名	垂直共振腔面射激光结构及制法
	林炳成; 陈志诚; 曾竑维
	2018-11-02
专利权人	光环科技股份有限公司
公开日期	2018-11-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种垂直共振腔面射激光(VCSEL)结构及制法，具有独特的三沟渠结构。通过在凸台(mesa)内且位于光窗的外围设置一第一沟渠来降低整体电容与缩短氧化层的氧化工艺时间，且通过在凸台外围设置阶梯状下凹的第二沟渠及第三沟渠来形成阶梯状的双层凸台结构，通过形成够大的散热面积，达到降低热效应、并避免金属层的断金现象的功效。此外，通过光窗周围设置离子布植区来控制模态及局限电流，以及在光窗上形成一出光层来达到控制出光的功效。
其他摘要	一种垂直共振腔面射激光(VCSEL)结构及制法，具有独特的三沟渠结构。通过在凸台(mesa)内且位于光窗的外围设置一第一沟渠来降低整体电容与缩短氧化层的氧化工艺时间，且通过在凸台外围设置阶梯状下凹的第二沟渠及第三沟渠来形成阶梯状的双层凸台结构，通过形成够大的散热面积，达到降低热效应、并避免金属层的断金现象的功效。此外，通过光窗周围设置离子布植区来控制模态及局限电流，以及在光窗上形成一出光层来达到控制出光的功效。
主权项	一种垂直共振腔面射激光结构，其特征在于，包括：一基底；一第一镜层，位于该基底之上；一活化层，位于该第一镜层上；一第二镜层，位于活化层上；一氧化层，夹设于该第二镜层内；一凸台区域，位于该基底之上、且是由至少一部分的该第一镜层、该活化层、该第二镜层以及该氧化层所组构而成，于该凸台区域的一顶面的一中央处具有一光窗；一第一沟渠，位于该凸台区域之内、且环绕于该光窗的外周缘的至少一部分；该第一沟渠是由该凸台区域的该顶面由上向下至少贯穿该第二镜层、该氧化层与该活化层；一第二沟渠，环绕于该凸台区域的外周缘的至少一部分、且与该第一沟渠相隔一间距，该第二沟渠是由上向下至少贯穿该第二镜层与该氧化层，使该第二沟渠的一底部是位于该活化层处或该第一镜层处两者其中之一；一第三沟渠，环绕于该凸台区域的外周缘的至少一部分且是自该第二沟渠的该底部向下凹陷，且该第三沟渠是由上向下至少贯穿该第一镜层，使该第三沟渠的一底部是位于该基底处；一介电材料，至少填充于该第一沟渠中；一第一接触层，位于该凸台区域的该顶面上且接触于该第二镜层；以及一第二接触层，至少位于该第三沟渠的该底部且至少接触于该基底。
申请日期	2017-04-13
专利号	CN108736315A
专利状态	申请中
申请号	CN201710240185.7
公开（公告）号	CN108736315A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	孙皓晨
代理机构	北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57089
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	光环科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	林炳成,陈志诚,曾竑维. 垂直共振腔面射激光结构及制法. CN108736315A[P]. 2018-11-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108736315A.PDF（725KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文