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钕钬镱三掺碲酸盐光纤的2.0μm波段低阈值单频光纤激光器
其他题名钕钬镱三掺碲酸盐光纤的2.0μm波段低阈值单频光纤激光器
李丽秀; 张勤远; 王伟超; 袁健; 杨中民; 徐善辉
2018-11-02
专利权人华南理工大学
公开日期2018-11-02
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开钕钬镱三掺碲酸盐光纤的2.0μm波段低阈值单频光纤激光器。其包括单或双808 nm半导体激光泵浦源、宽带光纤布拉格光栅、窄带光纤布拉格光栅、增益光纤、毛细管封装材料、波分复用器、光隔离器、自动温度控制系统、光纤合束器。本发明利用钕钬镱三掺碲酸盐单模光纤中离子的高掺杂浓度,以及镱离子的能量传递桥梁作用,大大提高了钕离子向钬离子的能量传递效率,进而增加钬离子的发光强度,改善目前碲酸盐单模光纤激光器高激光阈值、低输出功率,结构复杂等问题;同时采用1‑9 cm短直腔结构,通过选择窄带光纤布拉格光栅的3 dB反射谱宽,确保在数厘米长的激光腔内只存在一个单纵模,实现2.0μm波段低阈值单频激光输出。
其他摘要本发明公开钕钬镱三掺碲酸盐光纤的2.0μm波段低阈值单频光纤激光器。其包括单或双808 nm半导体激光泵浦源、宽带光纤布拉格光栅、窄带光纤布拉格光栅、增益光纤、毛细管封装材料、波分复用器、光隔离器、自动温度控制系统、光纤合束器。本发明利用钕钬镱三掺碲酸盐单模光纤中离子的高掺杂浓度,以及镱离子的能量传递桥梁作用,大大提高了钕离子向钬离子的能量传递效率,进而增加钬离子的发光强度,改善目前碲酸盐单模光纤激光器高激光阈值、低输出功率,结构复杂等问题;同时采用1‑9 cm短直腔结构,通过选择窄带光纤布拉格光栅的3 dB反射谱宽,确保在数厘米长的激光腔内只存在一个单纵模,实现2.0μm波段低阈值单频激光输出。
主权项钕钬镱三掺碲酸盐光纤的2.0 μm波段低阈值单频光纤激光器,其特征在于包括半导体激光泵浦源(1)、宽带光纤布拉格光栅(2)、窄带光纤布拉格光栅(3)、增益光纤(4)、毛细管封装材料(5)、波分复用器(6)、光隔离器(7)和自动温度控制系统(8);其中波分复用器(6)的一端与窄带光纤布拉格光栅(3)的一端连接,窄带光纤布拉格光栅(3)的另一端经增益光纤(4)与宽带光纤布拉格光栅(2)的一端连接,波分复用器(6)的另一端与光纤隔离器(7)连接,增益光纤(4)、窄带光纤布拉格光栅(3)以及宽带光纤布拉格光栅(2)固定封装在自动温度控制系统中, 增益光纤(4)固定于毛细管封装材料(5)内;半导体激光泵浦源(1)采用正向泵浦方式、反向泵浦方式或双向泵浦方式。
申请日期2018-05-31
专利号CN108736301A
专利状态申请中
申请号CN201810550179.6
公开(公告)号CN108736301A
IPC 分类号H01S3/067
专利代理人何淑珍 | 江裕强
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57086
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华南理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
李丽秀,张勤远,王伟超,等. 钕钬镱三掺碲酸盐光纤的2.0μm波段低阈值单频光纤激光器. CN108736301A[P]. 2018-11-02.
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