| 高温处理工艺对低压MOCVD GaAs/Ge太阳电池的影响 | |
| 李晓婷; 汪韬; 高鸿楷; 赛小锋 | |
| 作者部门 | 光电子学研究室 |
| 2003 | |
| 发表期刊 | 光子学报
 |
| ISSN | 1004-4213 |
| 卷号 | 32期号:8页码:921-923 |
| 学科领域 | 光学 |
| 收录类别 | 其他 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/5702 |
| 专题 | 光电子学研究室 |
| 通讯作者 | 李晓婷 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓婷,汪韬,高鸿楷,等. 高温处理工艺对低压MOCVD GaAs/Ge太阳电池的影响[J]. 光子学报,2003,32(8):921-923. |
| APA | 李晓婷,汪韬,高鸿楷,&赛小锋.(2003).高温处理工艺对低压MOCVD GaAs/Ge太阳电池的影响.光子学报,32(8),921-923. |
| MLA | 李晓婷,et al."高温处理工艺对低压MOCVD GaAs/Ge太阳电池的影响".光子学报 32.8(2003):921-923. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs（183KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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