一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法

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	一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法
	邹永刚; 李保志; 石琳琳; 马晓辉; 王小龙; 范杰; 王海珠; 徐英添; 张贺
	2018-10-02
专利权人	长春理工大学
公开日期	2018-10-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器，从上到下依次为：上反射层、中间层、激光器half‑VCSEL区，中间层包括液晶层和间隔层，间隔层围绕圆台结构形成一圈墙面结构，液晶层位于上述墙面结构内；其中的液晶层实现了激光器内部偏振增益各向异性，可使TE/TM偏振基态对应的波长位置有效分离，进而实现宽调谐范围波长偏振稳定控制；液晶层与VCSEL半导体材料连接界面处，在液晶“形式双折射”效应的作用下，大大提高液晶层的调谐效率。本发明还公开了提供上述激光器的制备方法。
其他摘要	本发明公开了一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器，从上到下依次为：上反射层、中间层、激光器half‑VCSEL区，中间层包括液晶层和间隔层，间隔层围绕圆台结构形成一圈墙面结构，液晶层位于上述墙面结构内；其中的液晶层实现了激光器内部偏振增益各向异性，可使TE/TM偏振基态对应的波长位置有效分离，进而实现宽调谐范围波长偏振稳定控制；液晶层与VCSEL半导体材料连接界面处，在液晶“形式双折射”效应的作用下，大大提高液晶层的调谐效率。本发明还公开了提供上述激光器的制备方法。
主权项	一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器，其特征在于，从上到下依次包括：上反射层、中间层、激光器half-VCSEL区，其中，上反射层从上依次包括液晶层调谐正极(1)、ITO导电薄膜(2)、玻璃基板(3)、上分布布拉格反射镜(DBR)(4)、取向膜(5)；激光器half-VCSEL区包括从上依次包括激光器注入电极层(8)、SiO2钝化层(9)、下分布布拉格反射镜(DBR)(12)、GaAs衬底(13)、激光器N型背面电极(14)，其中下分布布拉格反射镜(DBR)(12)从上依次包括AlGaAs层、氧化限制层(10)、Al0.98Ga0.02As层、有源区(11)、n-Al0.1Ga0.9As与n-Al0.9Ga0.1As交替层，AlGaAs层、氧化限制层(10)、Al0.98Ga0.02As层形成圆台结构，氧化限制层(10)为圆环状，中心为注入电流限制孔；中间层包括液晶层(6)和间隔层(7)，间隔层(7)围绕圆台结构形成一圈墙面结构，液晶层(6)位于上述墙面结构内；激光器注入电极层(8)、SiO2钝化层(9)中间对应电流限制孔位置设置有激光出光孔。
申请日期	2018-04-20
专利号	CN108616031A
专利状态	申请中
申请号	CN201810360340.3
公开（公告）号	CN108616031A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/323
专利代理人	杨帅峰
代理机构	北京市诚辉律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57029
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	邹永刚,李保志,石琳琳,等. 一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法. CN108616031A[P]. 2018-10-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108616031A.PDF（504KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文