一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜

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	一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜
其他题名	一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜
	崔利杰; 张杨; 曾一平
	2018-10-02
专利权人	中科芯电半导体科技(北京)有限公司
公开日期	2018-10-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜，采用二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层，形成一种新型的二元数字合金GaAs/AIAs半导体超晶格型分布式布拉格反射镜DBR，在上述结构的DBR反射镜中，由于二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料的引入省去了异质界面的组分过渡层,简化了器件的结构设计,使得外延生长过程中对生长参数更易控制，同时由于超晶格各层的厚度与电子的德布洛意波长在同一数量级,使载流子通过隧道效应形成的隧道电流增强从而有利于DBR反射镜获得较低的串联电阻。
其他摘要	本发明公开了一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜，采用二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层，形成一种新型的二元数字合金GaAs/AIAs半导体超晶格型分布式布拉格反射镜DBR，在上述结构的DBR反射镜中，由于二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料的引入省去了异质界面的组分过渡层,简化了器件的结构设计,使得外延生长过程中对生长参数更易控制，同时由于超晶格各层的厚度与电子的德布洛意波长在同一数量级,使载流子通过隧道效应形成的隧道电流增强从而有利于DBR反射镜获得较低的串联电阻。
主权项	一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜，包括基底，其特征在于，该分布式布拉格反射镜包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料。
申请日期	2018-06-25
专利号	CN108616032A
专利状态	申请中
申请号	CN201810661372
公开（公告）号	CN108616032A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	张素红
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57025
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中科芯电半导体科技(北京)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	崔利杰,张杨,曾一平. 一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜. CN108616032A[P]. 2018-10-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108616032A.PDF（386KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文