一种VCSEL芯片阵列结构及其制作方法

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	一种VCSEL芯片阵列结构及其制作方法
其他题名	一种VCSEL芯片阵列结构及其制作方法
	唐琦; 肖黎明; 代露
	2018-09-28
专利权人	湖北光安伦科技有限公司
公开日期	2018-09-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种VCSEL芯片阵列结构，包括半导体层、氧化台阶和出光孔；氧化台阶在半导体层上呈阵列分布，且各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，氧化台阶为多边形结构，相邻氧化台阶之间通过半导体筋连接，相邻多个氧化台阶的轮廓线及连接两氧化台阶的半导体筋构成的封闭空间形成氧化孔，出光孔中心对称且具有非圆形的氧化前沿轮廓线。另外，本发明还提供了该VCSEL芯片阵列结构的制作方法。本发明通过各相邻出光孔的氧化台阶相互之间由半导体筋连接，保证了各出光孔的机械强度，同时各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，且分布均匀，保证了氧化速度沿各出光孔中心均匀对称，且出光孔近似圆斑，其氧化前沿轮廓线为非圆形，有利于改善VCSEL激光的偏振性能。
其他摘要	本发明提供了一种VCSEL芯片阵列结构，包括半导体层、氧化台阶和出光孔；氧化台阶在半导体层上呈阵列分布，且各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，氧化台阶为多边形结构，相邻氧化台阶之间通过半导体筋连接，相邻多个氧化台阶的轮廓线及连接两氧化台阶的半导体筋构成的封闭空间形成氧化孔，出光孔中心对称且具有非圆形的氧化前沿轮廓线。另外，本发明还提供了该VCSEL芯片阵列结构的制作方法。本发明通过各相邻出光孔的氧化台阶相互之间由半导体筋连接，保证了各出光孔的机械强度，同时各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，且分布均匀，保证了氧化速度沿各出光孔中心均匀对称，且出光孔近似圆斑，其氧化前沿轮廓线为非圆形，有利于改善VCSEL激光的偏振性能。
主权项	一种VCSEL芯片阵列结构，包括半导体层和突出设置在半导体层上的若干个氧化台阶，所述氧化台阶中心设有出光孔；其特征在于：若干个所述氧化台阶在半导体层上呈阵列分布，且各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，所述氧化台阶为多边形结构，相邻所述氧化台阶之间通过半导体筋连接，相邻多个氧化台阶的轮廓线及连接两氧化台阶的半导体筋构成的封闭空间形成氧化孔，所述出光孔中心对称且具有非圆形的氧化前沿轮廓线。
申请日期	2018-05-21
专利号	CN108598866A
专利状态	申请中
申请号	CN201810489567.8
公开（公告）号	CN108598866A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	张涛
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57016
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	湖北光安伦科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	唐琦,肖黎明,代露. 一种VCSEL芯片阵列结构及其制作方法. CN108598866A[P]. 2018-09-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108598866A.PDF（418KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文