一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法

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	一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法
其他题名	一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法
	苏建; 朱振; 夏伟; 李沛旭; 徐现刚
	2018-09-07
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2018-09-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种微通道激光器芯片结构及其制作方法，该芯片包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层，在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区，量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO2层，SiO2层上设置有P面金属，P面金属与条形发光区的侧面之间设置有的微通道。其制作方法，包括如下步骤：（1）在激光器外延片的表面光刻出条形发光区；（2）腐蚀表面GaAs和AlGaInP；（3）形成帽檐；（4）在激光器外延片上进行SiO2层和P面金属的蒸镀；（5）腐蚀掉SiO2层；（6）腐蚀掉AlGaInP，形成微通道。本发明通过在激光器芯片中设置微通道，提高了激光器抗热、抗大电流的能力，提高了激光器的寿命。
其他摘要	一种微通道激光器芯片结构及其制作方法，该芯片包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层，在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区，量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO2层，SiO2层上设置有P面金属，P面金属与条形发光区的侧面之间设置有的微通道。其制作方法，包括如下步骤：（1）在激光器外延片的表面光刻出条形发光区；（2）腐蚀表面GaAs和AlGaInP；（3）形成帽檐；（4）在激光器外延片上进行SiO2层和P面金属的蒸镀；（5）腐蚀掉SiO2层；（6）腐蚀掉AlGaInP，形成微通道。本发明通过在激光器芯片中设置微通道，提高了激光器抗热、抗大电流的能力，提高了激光器的寿命。
主权项	一种微通道激光器芯片结构，包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层，其特征是：在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区，量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO2层，SiO2层上设置有P面金属，P面金属与条形发光区的侧面之间设置有的微通道。
申请日期	2017-02-28
专利号	CN108512031A
专利状态	申请中
申请号	CN201710115702.8
公开（公告）号	CN108512031A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/343
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56975
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	苏建,朱振,夏伟,等. 一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法. CN108512031A[P]. 2018-09-07.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108512031A.PDF（448KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文