脊型波导结构激光器P型电极的制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	脊型波导结构激光器P型电极的制备方法
其他题名	脊型波导结构激光器P型电极的制备方法
	周代兵; 赵玲娟; 梁松; 王圩
	2018-09-04
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-09-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。
其他摘要	一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。
主权项	一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。
申请日期	2018-04-10
专利号	CN108493768A
专利状态	申请中
申请号	CN201810314483.0
公开（公告）号	CN108493768A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	汤宝平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56964
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周代兵,赵玲娟,梁松,等. 脊型波导结构激光器P型电极的制备方法. CN108493768A[P]. 2018-09-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108493768A.PDF（512KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文