一种半导体激光器装置及制作方法

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	一种半导体激光器装置及制作方法
其他题名	一种半导体激光器装置及制作方法
	肖如磊; 赵雍; 施跃春; 陈向飞
	2018-09-04
专利权人	南京大学
公开日期	2018-09-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。
主权项	一种半导体激光器装置，包含有源层、缓冲层，其特征在于，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；所述P电极的数量大于2个；所述电隔离位于相邻的所述P电极之间；所述大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于所述P电极下方，所述大啁啾光栅中均匀插入相移，所述相移个数与所述P电极个数相同，每个所述相移对应1个所述P电极，且与对应的所述P电极中心的水平位置的差大于等于0，小于等于L/2n，其中L为所述装置的腔长，n为所述P电极个数，所述大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，所述多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；所述有源层位于所述大啁啾光栅下方；所述缓冲层位于所述有源层下方；所述N电极的数量为1个，位于所述缓冲层下方。
申请日期	2018-02-13
专利号	CN108493763A
专利状态	申请中
申请号	CN201810148414.7
公开（公告）号	CN108493763A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/042
专利代理人	许志勇
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56963
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	肖如磊,赵雍,施跃春,等. 一种半导体激光器装置及制作方法. CN108493763A[P]. 2018-09-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108493763A.PDF（888KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文