一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法

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	一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法
其他题名	一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法
	薛正群; 吴林福生; 黄章挺; 杨重英; 邓仁亮; 李敬波; 高家敏; 苏辉
	2018-09-04
专利权人	福建中科光芯光电科技有限公司
公开日期	2018-09-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，采用的外延片为光通信波段InP基半导体激光器外延片，其外延片结构为InP衬底、InP缓冲层、禁带宽度和折射率渐变的InGaAsP下波导层、InGaAsP多量子阱有源区、InGaAsP上波导层、P‑InP和P‑InGaAsP过渡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层。对一次外延片进行全息光栅制备，以及再生长，并进行激光器脊型制备，采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法制备倾斜的出光端面。本发明采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法来形成激光器的出光端面；由于倾斜的出光端面使得FP在腔面反馈的增益减小，从而降低了对镀膜条件的要求，提高了单模出光的成品率。
其他摘要	本发明涉及一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，采用的外延片为光通信波段InP基半导体激光器外延片，其外延片结构为InP衬底、InP缓冲层、禁带宽度和折射率渐变的InGaAsP下波导层、InGaAsP多量子阱有源区、InGaAsP上波导层、P‑InP和P‑InGaAsP过渡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层。对一次外延片进行全息光栅制备，以及再生长，并进行激光器脊型制备，采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法制备倾斜的出光端面。本发明采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法来形成激光器的出光端面；由于倾斜的出光端面使得FP在腔面反馈的增益减小，从而降低了对镀膜条件的要求，提高了单模出光的成品率。
主权项	一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1：采用光通信波段InP基半导体激光器外延片作为所述端面刻蚀半导体激光器一次外延片；步骤S2：对步骤S1中的一次外延片进行全息光栅制备以及再生长；步骤S3：采用湿法腐蚀工艺制备半导体激光器的脊型波导，接着采用干法刻蚀脊型波导形成出光端面，接着采用湿法腐蚀出光端面修复损伤层，形成倾斜的出光端面；步骤S4：进行半导体激光器的后续制作，得到完整的端面刻蚀半导体激光器。
申请日期	2018-03-13
专利号	CN108493765A
专利状态	申请中
申请号	CN201810202995.8
公开（公告）号	CN108493765A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/12
专利代理人	蔡学俊
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56961
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	薛正群,吴林福生,黄章挺,等. 一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法. CN108493765A[P]. 2018-09-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108493765A.PDF（345KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文