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一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法
其他题名一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法
张治国; 李磊朋; 秦峰; 赵华; 郑仰东
2018-09-04
专利权人哈尔滨工业大学
公开日期2018-09-04
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法,本发明涉及一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决Tm3+离子近红外上转换荧光测温灵敏度较低的问题,具体的步骤包括:(1)制备Yb3+和Tm3+离子共同掺杂的NaYF4纳米晶体;(2)在接收荧光的光谱仪的狭缝入口加上400nm的高通滤光片模块;(3)利用近红外激光二极管对该样品进行激发,对该样品进行标定获得标准曲线即可进行实际温度的监测。本发明能够切实有效地提高Tm3+离子近红外上转换荧光的测温灵敏度,进而提高测温精度。本发明应用于稀土荧光测温领域。
其他摘要一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法,本发明涉及一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决Tm3+离子近红外上转换荧光测温灵敏度较低的问题,具体的步骤包括:(1)制备Yb3+和Tm3+离子共同掺杂的NaYF4纳米晶体;(2)在接收荧光的光谱仪的狭缝入口加上400nm的高通滤光片模块;(3)利用近红外激光二极管对该样品进行激发,对该样品进行标定获得标准曲线即可进行实际温度的监测。本发明能够切实有效地提高Tm3+离子近红外上转换荧光的测温灵敏度,进而提高测温精度。本发明应用于稀土荧光测温领域。
主权项一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法,其特征在于是按以下步骤进行:一、制备Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4,然后进行粉末压片,得到测温样品; 二、在光栅光谱仪的狭缝入口处放置一个400nm的高通滤光片,然后利用980nm激光二极管作为光源对测温样品进行激发,测温样品所发射的上转换荧光通过聚焦透镜汇聚入射到计算机控制的光栅光谱仪中,监测中心波长位于700和800nm的两个荧光带,对两个荧光带的强度进行积分,然后对两个荧光带的积分强度进行比值;改变样品的温度从而获得不同温度下两个荧光带的积分强度的比值,利用玻尔兹曼热统计分布规律将荧光带积分强度的比值和温度之间用函数进行描述:其中Δ是两束荧光的积分强度比值,A是指数前常数,ΔE是能级差,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,B是补偿因子; 三、将样品放置于待测环境,获得700和800nm的两个荧光带的强度比值,将其代入上述函数中即可获得待测环境温度值。
申请日期2018-03-22
专利号CN108489617A
专利状态授权
申请号CN201810241596.2
公开(公告)号CN108489617A
IPC 分类号G01J5/28 | G01J5/06
专利代理人贾泽纯
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56958
专题半导体激光器专利数据库
作者单位哈尔滨工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张治国,李磊朋,秦峰,等. 一种提高铥离子近红外上转换荧光测温灵敏度的方法. CN108489617A[P]. 2018-09-04.
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