硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法

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	硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法
其他题名	硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法
	文岐业; 金浓; 朱韵樵; 文天龙; 杨青慧; 陈智; 冯正; 谭为; 张怀武
	2018-07-06
专利权人	电子科技大学
公开日期	2018-07-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法，包括硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构、半导体激光器、光纤调制器、太赫兹波源、太赫兹探测器，硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构构成硅基微纳米混合结构；太赫兹波源的太赫兹波束入射到微米金字塔结构上，太赫兹探测器用于接收太赫兹波源经过硅基微纳米混合结构的太赫兹信号；本发明的调制器可以工作在低至10mW/mm2的极低激光功率下，在300mW/mm2的激光功率下，器件最高调制深度可以达到95％；工作频段覆盖0.1‑5THz的超宽带太赫兹频段，具有很大调制速率(3MHz)的同时保持很大的调制深度和较小的插损。
其他摘要	本发明提供一种硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法，包括硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构、半导体激光器、光纤调制器、太赫兹波源、太赫兹探测器，硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构构成硅基微纳米混合结构；太赫兹波源的太赫兹波束入射到微米金字塔结构上，太赫兹探测器用于接收太赫兹波源经过硅基微纳米混合结构的太赫兹信号；本发明的调制器可以工作在低至10mW/mm2的极低激光功率下，在300mW/mm2的激光功率下，器件最高调制深度可以达到95％；工作频段覆盖0.1‑5THz的超宽带太赫兹频段，具有很大调制速率(3MHz)的同时保持很大的调制深度和较小的插损。
主权项	一种硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器，其特征在于：包括硅基底(1)、位于硅基底(1)表面的微米金字塔结构(2)、分布于微米金字塔结构(2)表面的纳米孔洞结构(3)、通过光纤(5)连接光纤调制器(6)的半导体激光器(4)、用于输出调制激光束(9)照射到微米金字塔结构(2)上的光纤调制器(6)，所述微米金字塔结构(2)为四棱锥结构，所述硅基底(1)、微米金字塔结构(2)、纳米孔洞结构(3)构成硅基微纳米混合结构；所述微米金字塔结构(2)和纳米孔洞结构(3)均是用湿法刻蚀方法在硅基底(1)上依次刻蚀而成，二者属于同一硅材料；太赫兹波源(7)产生的太赫兹波束(10)入射到微米金字塔结构(2)上，太赫兹探测器(8)用于接收太赫兹波源(7)经过硅基微纳米混合结构的太赫兹信号。
申请日期	2018-01-19
专利号	CN108254944A
专利状态	申请中
申请号	CN201810054212.6
公开（公告）号	CN108254944A
IPC 分类号	G02F1/01
专利代理人	敖欢 \| 葛启函
代理机构	成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56862
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	文岐业,金浓,朱韵樵,等. 硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法. CN108254944A[P]. 2018-07-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108254944A.PDF（988KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文