一次外延生长双波长半导体激光器

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	一次外延生长双波长半导体激光器
其他题名	一次外延生长双波长半导体激光器
	王海珠; 侯春鸽; 范杰; 邹永刚; 马晓辉; 李洋; 赵鑫; 张贺; 王小龙
	2018-06-12
专利权人	长春理工大学
公开日期	2018-06-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一次外延生长双波长半导体激光器，其包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底。泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔激光器的激射，从而实现了集成垂直腔双波长激射，使得双波长激光从集成垂直腔的上下两个方向出射，所述集泵浦光垂直腔、被激发垂直腔为一次外延生长形成。
其他摘要	本发明公开了一次外延生长双波长半导体激光器，其包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底。泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔激光器的激射，从而实现了集成垂直腔双波长激射，使得双波长激光从集成垂直腔的上下两个方向出射，所述集泵浦光垂直腔、被激发垂直腔为一次外延生长形成。
主权项	一次外延生长双波长半导体激光器，其特征为：包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底，泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔的激射，从而实现了集成垂直腔双波长激射，使得双波长激光从集成垂直腔的上下两个方向出射，所述集泵浦光垂直腔、被激发垂直腔均在GaAs衬底上通过一次外延生长完成。
申请日期	2018-01-22
专利号	CN108155561A
专利状态	申请中
申请号	CN201810058294.1
公开（公告）号	CN108155561A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/04 \| H01S5/187 \| H01S5/34
专利代理人	范盈
代理机构	北京市诚辉律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56820
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王海珠,侯春鸽,范杰,等. 一次外延生长双波长半导体激光器. CN108155561A[P]. 2018-06-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108155561A.PDF（706KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文