用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器

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	用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器
其他题名	用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器
	舒伯特·S·楚; 道格拉斯·E·霍姆格伦; 卡尔蒂克·萨哈; 帕拉姆拉里·贾金德拉; 尼欧·O·谬; 普雷塔姆·拉奥; 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔; 叶祉渊; 马丁·A·希尔金; 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯; 理查德·O·柯林斯
	2018-06-08
专利权人	应用材料公司
公开日期	2018-06-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
其他摘要	本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
主权项	一种工艺腔室，包含：第一拱形结构；第二拱形结构；基板支撑件，设置在所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间；第一多个加热元件，设置在所述第一拱形结构上方，其中所述第一拱形结构设置在所述第一多个加热元件和所述基板支撑件之间；和点加热源组件，设置在所述第一拱形结构上方，其中所述点加热源组件包含指在所述基板支撑件处的辐射点加热源。
申请日期	2016-10-07
专利号	CN108140597A
专利状态	申请中
申请号	CN201680056747.6
公开（公告）号	CN108140597A
IPC 分类号	H01L21/67 \| H01L21/683 \| H01L21/324 \| H01L29/861
专利代理人	徐金国 \| 赵静
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56810
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	应用材料公司
推荐引用方式 GB/T 7714	舒伯特·S·楚,道格拉斯·E·霍姆格伦,卡尔蒂克·萨哈,等. 用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器. CN108140597A[P]. 2018-06-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108140597A.PDF（1838KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文