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一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器
Alternative Title一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器
陈一仁; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 缪国庆; 李志明; 孙晓娟; 张志伟
2018-05-29
Rights Holder中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Date Available2018-05-29
Country中国
Subtype发明申请
Abstract本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料,且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中,Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层,实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层,缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏,提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元,有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途,弥补其在存储器应用领域的空白,利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。
Other Abstract本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料,且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中,Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层,实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层,缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏,提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元,有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途,弥补其在存储器应用领域的空白,利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。
Claim一种非易失性存储器单元,包括: 氮化物晶体管; 设置于所述氮化物晶体管上的氮化物金属-绝缘层-半导体忆阻器,所述氮化物金属-绝缘层-半导体忆阻器包括:Si掺杂的GaN材料台面(5),所述Si掺杂的GaN材料台面(5)附着于所述氮化物晶体管的AlGaN材料台面(4)上;附着于所述Si掺杂的GaN材料台面(5)上的AlN材料台面(6);附着于所述AlN材料台面(6)上的Si3N4材料台面(7);设置于所述Si3N4材料台面(7)上的金属电极(8); 漏极(11),所述漏极(11)的一端与Si掺杂的GaN材料台面(5)接触;所述漏极(11)的另一端与所述氮化物晶体管的GaN材料层(3)接触。
Application Date2017-12-27
Patent NumberCN108091657A
Status申请中
Application NumberCN201711442499.1
Open (Notice) NumberCN108091657A
IPC Classification NumberH01L27/115 | H01L27/108 | G11C16/00
Patent Agent赵青朵
Agency北京集佳知识产权代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56785
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
陈一仁,宋航,黎大兵,等. 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器. CN108091657A[P]. 2018-05-29.
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