一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法

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	一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法
其他题名	一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法
	庞晓露; 杨杨; 高克玮; 杨会生; 徐秋发; 李东东; 童海生
	2018-05-15
专利权人	北京科技大学
公开日期	2018-05-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品，薄膜样品要求在横向上成分梯度分布，在纵向上均匀分布。薄膜样品在真空条件下采用激光热处理加热，激光采用线扫的方式自上向下扫描，激光能量不断改变。因此薄膜样品表面纵向上成分相同，热处理工艺参数不同，横向上成分不同，热处理工艺参数相同，因此可以研究成分‑组织对性能的影响。
其他摘要	本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品，薄膜样品要求在横向上成分梯度分布，在纵向上均匀分布。薄膜样品在真空条件下采用激光热处理加热，激光采用线扫的方式自上向下扫描，激光能量不断改变。因此薄膜样品表面纵向上成分相同，热处理工艺参数不同，横向上成分不同，热处理工艺参数相同，因此可以研究成分‑组织对性能的影响。
主权项	一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置，其特征在于，该装置包括基体，磁控溅射镀膜机和用于提供能量实现薄膜局部热处理的半导体激光器，其中，所述磁控溅射镀膜机采用双靶共溅射，所述基体位于所述磁控溅射镀膜机的双靶之间，且所述基体到所述磁控溅射镀膜机的双靶之间的距离相等。
申请日期	2017-12-04
专利号	CN108034928A
专利状态	申请中
申请号	CN201711262864.0
公开（公告）号	CN108034928A
IPC 分类号	C23C14/35 \| C23C14/58 \| C23C14/16 \| C23C28/02
专利代理人	皋吉甫
代理机构	北京金智普华知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56761
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	庞晓露,杨杨,高克玮,等. 一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法. CN108034928A[P]. 2018-05-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108034928A.PDF（375KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文