一种半导体激光器材料的制备方法

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	一种半导体激光器材料的制备方法
其他题名	一种半导体激光器材料的制备方法
	王庶民; 王畅
	2018-04-13
专利权人	超晶科技(北京)有限公司
公开日期	2018-04-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。本发明的方法为供体衬底可重复利用，省去减薄工艺的半导体激光器材料制备方法。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。本发明的方法为供体衬底可重复利用，省去减薄工艺的半导体激光器材料制备方法。
主权项	一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。
申请日期	2017-06-28
专利号	CN107910750A
专利状态	申请中
申请号	CN201710509143.9
公开（公告）号	CN107910750A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	陈琳琳 \| 李彪
代理机构	北京方安思达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56721
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	超晶科技(北京)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王庶民,王畅. 一种半导体激光器材料的制备方法. CN107910750A[P]. 2018-04-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107910750A.PDF（114KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文