无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法

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	无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法
其他题名	无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法
	张璋; 黄博; 杨宁; 韩俊豪; 曾翔昊
	2018-04-13
专利权人	烽火通信科技股份有限公司
公开日期	2018-04-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法，涉及激光光学领域，该装置包括激光器和设于所述激光器一侧的增益调制器，所述激光器包括第一半导体增益介质、设于所述第一增益介质两端的DFB反射器以及加载于所述第一增益介质上的第一驱动电流源；所述增益调制器包括第二半导体增益介质以及加载于所述第二增益介质上的第二驱动电流源，所述增益调制器用于对激光器输出的激光强度进行调制。本发明输出的激光不存在啁啾现象且激光光强较大。
其他摘要	本发明公开了一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法，涉及激光光学领域，该装置包括激光器和设于所述激光器一侧的增益调制器，所述激光器包括第一半导体增益介质、设于所述第一增益介质两端的DFB反射器以及加载于所述第一增益介质上的第一驱动电流源；所述增益调制器包括第二半导体增益介质以及加载于所述第二增益介质上的第二驱动电流源，所述增益调制器用于对激光器输出的激光强度进行调制。本发明输出的激光不存在啁啾现象且激光光强较大。
主权项	一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置，其特征在于，包括：激光器(301)，所述激光器(301)包括第一半导体增益介质(303)、设于所述第一增益介质两端的DFB反射器(304)以及加载于所述第一增益介质上的第一驱动电流源(305)；设于所述激光器(301)一侧的增益调制器(302)，所述增益调制器(302)包括第二半导体增益介质(306)以及加载于所述第二增益介质上的第二驱动电流源(307)，所述增益调制器(302)用于对激光器(301)输出的激光强度进行调制。
申请日期	2017-11-20
专利号	CN107910749A
专利状态	申请中
申请号	CN201711153347.X
公开（公告）号	CN107910749A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/042 \| H01S5/12
专利代理人	刘丽君
代理机构	武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56720
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	烽火通信科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张璋,黄博,杨宁,等. 无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法. CN107910749A[P]. 2018-04-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107910749A.PDF（158KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文