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一种高功率半导体激光器芯片焊装方法
其他题名一种高功率半导体激光器芯片焊装方法
薄报学; 高欣; 乔忠良; 张晶; 李辉
2018-03-16
专利权人长春理工大学
公开日期2018-03-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种高功率半导体激光器芯片焊装方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效避免激光器芯片焊装空洞的产生,使高功率半导体激光器的工作性能受到限制。本发明基于焊料毛细作用的半导体激光器芯片焊装方法,填充缝隙的焊料纯度高,焊料与焊接面的浸润性好,避免了由于焊料氧化、污染造成的焊料层空洞的产生,从而可明显改善激光器芯片的散热特性,提高激光器的工作性能。
其他摘要一种高功率半导体激光器芯片焊装方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效避免激光器芯片焊装空洞的产生,使高功率半导体激光器的工作性能受到限制。本发明基于焊料毛细作用的半导体激光器芯片焊装方法,填充缝隙的焊料纯度高,焊料与焊接面的浸润性好,避免了由于焊料氧化、污染造成的焊料层空洞的产生,从而可明显改善激光器芯片的散热特性,提高激光器的工作性能。
主权项一种高功率半导体激光器芯片焊装方法,其特征在于,惰性气氛或真空环境下加热时,金属焊料熔化后通过在镀金的芯片焊装面和次热沉焊装面之间的毛细作用扩展进缝隙,并填充整个缝隙,从而避免焊装空洞的产生,改善了高功率半导体激光器芯片的工作特性。
申请日期2017-12-14
专利号CN107809055A
专利状态申请中
申请号CN201711330632.4
公开(公告)号CN107809055A
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56687
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
薄报学,高欣,乔忠良,等. 一种高功率半导体激光器芯片焊装方法. CN107809055A[P]. 2018-03-16.
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