一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法

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	一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法
其他题名	一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法
	张建伟; 张继业; 张星; 宁永强; 秦莉; 王立军
	2018-02-27
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2018-02-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法，P型电极结构包括透明绝缘层、透明导电层以及网格电极。透明绝缘层和网格电极具有预设的图案结构，形成多个阵列排布的出光口。出光口的边缘区域可以通过相消干涉消除出光口边缘区域的高阶模，增大高阶模的损耗，而出光口的边缘区域对基模的损耗较小。方框的开口为通孔的中心区域，中心区域仅有一层透明导电层，中心区域的透明导电层直接与下方的P型DBR结构接触，电流通过网格电极下的透明导电层注入，增大了基模的增益，而对设定高阶模的增益较小。因此，可以实现高功率高稳定性的单模出射。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法，P型电极结构包括透明绝缘层、透明导电层以及网格电极。透明绝缘层和网格电极具有预设的图案结构，形成多个阵列排布的出光口。出光口的边缘区域可以通过相消干涉消除出光口边缘区域的高阶模，增大高阶模的损耗，而出光口的边缘区域对基模的损耗较小。方框的开口为通孔的中心区域，中心区域仅有一层透明导电层，中心区域的透明导电层直接与下方的P型DBR结构接触，电流通过网格电极下的透明导电层注入，增大了基模的增益，而对设定高阶模的增益较小。因此，可以实现高功率高稳定性的单模出射。
主权项	一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射半导体激光器包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面以及第二表面；设置在所述第一表面N型DBR结构；位于所述N型DBR结构表面的有源层；位于所述有源层表面的P型DBR结构；位于所述P型DBR结构表面的P型电极结构；位于所述第二表面的N型电极结构；其中，所述P型电极结构包括：位于所述P型DBR结构表面的透明绝缘层，所述透明绝缘层包括多个点阵排布的方框，所述方框之间具有间隙；覆盖所述方框以及所述P型DBR结构表面的透明导电层；位于所述透明导电层表面的网格电极，所述网格电极的电极线形成多个与所述方框一一对应的出光口，一个通孔内设置有一个所述方框。
申请日期	2017-12-01
专利号	CN107742824A
专利状态	申请中
申请号	CN201711250227.1
公开（公告）号	CN107742824A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/323
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56656
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张建伟,张继业,张星,等. 一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法. CN107742824A[P]. 2018-02-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107742824A.PDF（590KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文