一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计

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	一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计
其他题名	一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计
	翁国恩; 陈少强; 胡小波; 梅洋
	2018-01-30
专利权人	华东师范大学
公开日期	2018-01-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及氮化物半导体垂直腔面发射激光器领域，公开了一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计方法，包括对激光器腔长、量子点位置以及量子点尺寸的设计；通过对多层量子点的尺寸和其在谐振腔内空间位置的精确设计，使得不同尺寸量子点的发光与对应的腔模及腔内的驻波光场实现最大程度的耦合，从而使得多个激光模式同时获得足够大的增益并最终实现稳定的多波长激光输出。同时，本发明还提供了采用这种有源区制作的多波长GaN基垂直腔面发射激光器的具体器件结构及其应用。
其他摘要	本发明涉及氮化物半导体垂直腔面发射激光器领域，公开了一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计方法，包括对激光器腔长、量子点位置以及量子点尺寸的设计；通过对多层量子点的尺寸和其在谐振腔内空间位置的精确设计，使得不同尺寸量子点的发光与对应的腔模及腔内的驻波光场实现最大程度的耦合，从而使得多个激光模式同时获得足够大的增益并最终实现稳定的多波长激光输出。同时，本发明还提供了采用这种有源区制作的多波长GaN基垂直腔面发射激光器的具体器件结构及其应用。
主权项	一种多层堆叠量子点的有源区结构设计方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤： (1)根据激光的出射波长设计激光器的腔长； (2)根据激光的出射波长设计量子点的尺寸，使得不同尺寸量子点层的发光中心波长与对应的激光的出射波长相匹配； (3)计算各个激光的出射波长对应的光场在谐振腔内的空间分布，然后将与激光的出射波长对应的不同尺寸的量子点层置于对应光场的波腹处，使不同尺寸量子点层与各自对应光场之间的耦合达到最强，从而得到所述多层堆叠量子点的有源区结构。
申请日期	2017-09-27
专利号	CN107645123A
专利状态	申请中
申请号	CN20171089172X
公开（公告）号	CN107645123A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S5/06 \| H01S5/183
专利代理人	董红曼
代理机构	上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56618
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华东师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	翁国恩,陈少强,胡小波,等. 一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计. CN107645123A[P]. 2018-01-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107645123A.PDF（463KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文