脊形半导体激光器及其制作方法

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	脊形半导体激光器及其制作方法
其他题名	脊形半导体激光器及其制作方法
	黄莹; 李德尧; 刘建平; 张立群; 张书明; 杨辉
	2018-01-30
专利权人	杭州增益光电科技有限公司
公开日期	2018-01-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面，应用离子注入工艺分别形成有离子注入层。本发明提出的半导体激光器能够抑制载流子向脊形两侧的扩展，提高载流子的注入效率。此外，P型氮化铝镓上限制层与N型氮化铝镓离子注入层形成P‑N结，当激光器工作在正向时，此P‑N结工作在反向，漏电较小，即使激光器无绝缘层，也可以阻止电流从脊形部两侧注入。
其他摘要	本发明提供一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面，应用离子注入工艺分别形成有离子注入层。本发明提出的半导体激光器能够抑制载流子向脊形两侧的扩展，提高载流子的注入效率。此外，P型氮化铝镓上限制层与N型氮化铝镓离子注入层形成P‑N结，当激光器工作在正向时，此P‑N结工作在反向，漏电较小，即使激光器无绝缘层，也可以阻止电流从脊形部两侧注入。
主权项	一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；其特征在于，在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面，应用离子注入工艺分别形成有离子注入层。
申请日期	2016-07-22
专利号	CN107645122A
专利状态	授权
申请号	CN201610583933.7
公开（公告）号	CN107645122A
IPC 分类号	H01S5/227 \| H01S5/323
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56617
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	杭州增益光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	黄莹,李德尧,刘建平,等. 脊形半导体激光器及其制作方法. CN107645122A[P]. 2018-01-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107645122A.PDF（496KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文