非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器

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	非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器
其他题名	非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器
	郑俊守; 孙雨舟; 王祥忠
	2017-12-26
专利权人	苏州旭创科技有限公司
公开日期	2017-12-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、刻蚀深度相同且光栅周期相等，第一光栅的占空比恒定不变，第二光栅包括切趾段光栅，切趾段光栅的占空比沿光栅轴向逐渐变化，第二光栅的折射率调制强度弱于第一光栅的折射率调制强度。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器，在相移结构两侧的光栅长度、光栅刻蚀深度和光栅周期不变的条件下，第二光栅中引入切趾段光栅，实现两侧相移光栅耦合系数的不对称，DFB半导体激光器能够实现输出光功率的不对称，增大了激光器的有效输出光功率。
其他摘要	本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、刻蚀深度相同且光栅周期相等，第一光栅的占空比恒定不变，第二光栅包括切趾段光栅，切趾段光栅的占空比沿光栅轴向逐渐变化，第二光栅的折射率调制强度弱于第一光栅的折射率调制强度。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器，在相移结构两侧的光栅长度、光栅刻蚀深度和光栅周期不变的条件下，第二光栅中引入切趾段光栅，实现两侧相移光栅耦合系数的不对称，DFB半导体激光器能够实现输出光功率的不对称，增大了激光器的有效输出光功率。
主权项	一种非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、刻蚀深度相同且光栅周期相等，第一光栅的占空比恒定不变，第二光栅包括切趾段光栅，切趾段光栅的占空比沿光栅轴向逐渐变化，第一光栅和第二光栅的折射率调制强度不相等。
申请日期	2016-06-15
专利号	CN107516817A
专利状态	失效
申请号	CN201610422470.6
公开（公告）号	CN107516817A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/125
专利代理人	杨林洁
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56562
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州旭创科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	郑俊守,孙雨舟,王祥忠. 非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器. CN107516817A[P]. 2017-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107516817A.PDF（211KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文