一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺

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	一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺
其他题名	一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺
	温惟善
	2017-12-19
专利权人	广东格斯泰气密元件有限公司
公开日期	2017-12-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺，包括:氮化铝底板、可伐合金框架，用定位夹具将框架和底板组合一起；中温700℃氧化气氛下，烧结70分钟，完成SMD腔体的制备；将VCSEL芯片共晶固着在氮化铝底板上，绑线WB工艺将VCSEL芯片和焊盘电极连接，完成VCSEL芯片封装，将光窗玻璃放置在封好VCSEL芯片的SMD腔体上，采用平行封焊的工艺将光窗密封固定在可伐合金框架上，至此，SMD小型化封装的VCSEL激光器制造完成。本发明使激光器体积，长(宽)度，高度(厚度)均小于5毫米，散热性能好，容易贴装于PCB板上，为VCSEL激光器未来在小型化的产品应用中提供一种可能。
其他摘要	本发明公开了一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺，包括:氮化铝底板、可伐合金框架，用定位夹具将框架和底板组合一起；中温700℃氧化气氛下，烧结70分钟，完成SMD腔体的制备；将VCSEL芯片共晶固着在氮化铝底板上，绑线WB工艺将VCSEL芯片和焊盘电极连接，完成VCSEL芯片封装，将光窗玻璃放置在封好VCSEL芯片的SMD腔体上，采用平行封焊的工艺将光窗密封固定在可伐合金框架上，至此，SMD小型化封装的VCSEL激光器制造完成。本发明使激光器体积，长(宽)度，高度(厚度)均小于5毫米，散热性能好，容易贴装于PCB板上，为VCSEL激光器未来在小型化的产品应用中提供一种可能。
主权项	一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺，其特征在于制造工艺包括: (1)氮化铝底板：长宽厚度：3mm3mm0.4mm,正面和背面低温银浆金属化，同时采用通孔填浆的工艺实现内外电路的连通； (2)可伐合金框架：加工成长宽高度厚度3mm3mm2mm0.4mm,框架底部用中温银浆印刷，用定位夹具将框架和底板组合一起； (3)将步骤(1)、(2)的部件放进气氛炉中烧结，中温700℃氧化气氛下，烧结70分钟，完成SMD腔体的制备； (4)将SMD腔体进行镀镍和镀金，备用； (5)光窗玻璃采用K9光学玻璃，400～1200nm波长透过率92.7％，分切成边长为3毫米的方片，四周印刷低温玻璃浆料，烘干备用； (6)VCSEL芯片封装：将VCSEL芯片共晶固着在氮化铝底板上，绑线WB工艺将VCSEL芯片和焊盘电极连接，完成VCSEL芯片封装，将光窗玻璃放置在封好VCSEL芯片的SMD腔体上，采用平行封焊的工艺将光窗密封固定在可伐合金框架上，至此，SMD小型化封装的VCSEL激光器制造完成。 (7)测试：SMD小型化封装的VCSEL激光器放置在激光性能测试仪上测试，通过检测光功率，光束质量，信噪比，功率时间曲线的测定，评定其效果。
申请日期	2017-08-08
专利号	CN107492786A
专利状态	授权
申请号	CN201710672726.3
公开（公告）号	CN107492786A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/022
专利代理人	张汉青
代理机构	东莞市中正知识产权事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56555
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	广东格斯泰气密元件有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	温惟善. 一种SMD小型化封装的VCSEL制造工艺. CN107492786A[P]. 2017-12-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107492786A.PDF（447KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文