Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用于紫外光发射装置的封装和封装紫外光发射装置的方法 | |
| 其他题名 | 用于紫外光发射装置的封装和封装紫外光发射装置的方法 |
| 刘赛锦; 道格拉斯·A·柯林斯; 廖翊韬 | |
| 2018-07-06 | |
| 专利权人 | 紫岳科技有限公司 |
| 公开日期 | 2018-07-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及用于紫外光发射装置的封装和封装所述紫外光发射装置的方法。本发明的实施例包括发光二极管UVLED，所述UVLED包括具有设置在n型区与p型区之间的活性层的半导体结构。所述活性层发射UV辐射。所述UVLED附接到底座。透镜设置于所述UVLED的上方。最接近所述UVLED的所述透镜的表面的宽度与所述底座相同。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及用于紫外光发射装置的封装和封装所述紫外光发射装置的方法。本发明的实施例包括发光二极管UVLED，所述UVLED包括具有设置在n型区与p型区之间的活性层的半导体结构。所述活性层发射UV辐射。所述UVLED附接到底座。透镜设置于所述UVLED的上方。最接近所述UVLED的所述透镜的表面的宽度与所述底座相同。 |
| 主权项 | 一种装置，其包含： 发光二极管UVLED，其包含包括设置于n型区与p型区之间的活性层的半导体结构，其中所述活性层发射UV辐射； 陶瓷底座，其中所述UVLED附接到所述底座； 设置于所述UVLED上方的透镜，其中所述透镜是石英、蓝宝石和玻璃中的一个； 其中最接近所述UVLED的所述透镜的表面的宽度与所述陶瓷底座相同。 |
| 申请日期 | 2017-12-22 |
| 专利号 | CN108258106A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201711414875.6 |
| 公开（公告）号 | CN108258106A |
| IPC 分类号 | H01L33/58 |
| 专利代理人 | 林斯凯 |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56143 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 紫岳科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘赛锦,道格拉斯·A·柯林斯,廖翊韬. 用于紫外光发射装置的封装和封装紫外光发射装置的方法. CN108258106A[P]. 2018-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108258106A.PDF（582KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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