半导体器件及包括其的半导体器件封装

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	半导体器件及包括其的半导体器件封装
其他题名	半导体器件及包括其的半导体器件封装
	吴炫智; 崔洛俊; 金炳祚
	2018-03-13
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2018-03-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。
其他摘要	公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。
主权项	一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，且包括多个凹槽，所述多个凹槽贯通所述第二导电型半导体层和有源层并布置到所述第一导电型半导体层的一部分区域；第一电极，布置在所述凹槽中，与所述第一导电型半导体层电连接；及第二电极，与所述第二导电型半导体层电连接，其中，所述有源层包括多个阻挡层和阱层，所述第二导电型半导体层包括第2-2导电型半导体层、和布置在所述第2-2导电型半导体层上的第2-1导电型半导体层，所述阻挡层、阱层、第2-2导电型半导体层及第2-1导电型半导体层包括铝，所述第2-2导电型半导体层的铝组成高于所述阱层的铝组成，所述第2-1导电型半导体层的铝组成低于所述阱层的铝组成，所述第2-1导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以第一斜率越减少，所述第2-2导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以第二斜率越减少，所述第一斜率大于所述第二斜率。
申请日期	2017-09-01
专利号	CN107799639A
专利状态	申请中
申请号	CN201710780660.X
公开（公告）号	CN107799639A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/22 \| H01L33/32 \| H01L33/62
专利代理人	张浴月 \| 李玉锁
代理机构	隆天知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56121
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	吴炫智,崔洛俊,金炳祚. 半导体器件及包括其的半导体器件封装. CN107799639A[P]. 2018-03-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107799639A.PDF（2623KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文