可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法

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	可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法
其他题名	可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法
	耿煜; 张运生
	2017-08-11
专利权人	深圳信息职业技术学院
公开日期	2017-08-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明适用于光电领域，提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法，该器件包括：多层结构的基底，基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长，在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构，并使用无定型硅和SiO2为光波导，连接各个器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。
其他摘要	本发明适用于光电领域，提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法，该器件包括：多层结构的基底，基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长，在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构，并使用无定型硅和SiO2为光波导，连接各个器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。
主权项	一种可集成光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：基底，所述基底为多层结构，所述基底从底至顶底依次包括衬底以及在所述衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，所述硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，所述硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。
申请日期	2017-05-23
专利号	CN107037534A
专利状态	授权
申请号	CN201710369969.X
公开（公告）号	CN107037534A
IPC 分类号	G02B6/12 \| G02B6/122 \| G02B6/13 \| G02B6/134 \| G02B6/136 \| G02B6/24 \| H01L27/144 \| H01L27/15 \| H01L31/0232 \| H01L33/58
专利代理人	官建红
代理机构	深圳中一专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56105
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳信息职业技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	耿煜,张运生. 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法. CN107037534A[P]. 2017-08-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107037534A.PDF（668KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文