发光元件封装件

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	发光元件封装件
其他题名	发光元件封装件
	任范镇
	2018-04-17
专利权人	LG 伊诺特有限公司
公开日期	2018-04-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	实施例的发光元件封装件包括：发光结构，其包括第一导电半导体层和第二导电半导体层以及被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；透光电极层，其被布置在所述第二导电半导体层上；钝化层，其被布置在第二导电半导体层和第一导电半导体层的台面暴露部分上；反射层，其在与发光结构的厚度方向垂直的水平方向上从透光电极层的顶部布置到钝化层的顶部；以及导电包覆层，其被布置在反射层上。
其他摘要	实施例的发光元件封装件包括：发光结构，其包括第一导电半导体层和第二导电半导体层以及被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；透光电极层，其被布置在所述第二导电半导体层上；钝化层，其被布置在第二导电半导体层和第一导电半导体层的台面暴露部分上；反射层，其在与发光结构的厚度方向垂直的水平方向上从透光电极层的顶部布置到钝化层的顶部；以及导电包覆层，其被布置在反射层上。
主权项	一种发光器件封装件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；透明电极层，所述透明电极层被布置在所述第二导电半导体层上；钝化层，所述钝化层被布置在所述第二导电半导体层上且被布置在通过台面蚀刻而暴露的所述第一导电半导体层上；反射层，所述反射层被布置成在与所述发光结构的厚度方向垂直的水平方向上从所述透明电极层的上部延伸到所述钝化层的上部；以及导电包覆层，所述导电包覆层被布置在所述反射层上。
申请日期	2016-07-21
专利号	CN107924967A
专利状态	申请中
申请号	CN201680042933.4
公开（公告）号	CN107924967A
IPC 分类号	H01L33/36 \| H01L33/44 \| H01L33/46 \| H01L33/62 \| H01L33/52
专利代理人	高伟 \| 陆弋
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56066
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG 伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	任范镇. 发光元件封装件. CN107924967A[P]. 2018-04-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107924967A.PDF（2097KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文