Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
发光元件和发光元件封装 | |
其他题名 | 发光元件和发光元件封装 |
李尚烈; 金会准; 丁星好 | |
2017-12-01 | |
专利权人 | LG 伊诺特有限公司 |
公开日期 | 2017-12-01 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 在实施例中,一种发光元件包括:基板;置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构;分别地连接到第一和第二导电半导体层的第一和第二电极;分别地连接到第一和第二电极的第一和第二结合焊盘;以及置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘体层。第一电极的第一厚度可以是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘体层的第二厚度的1/3或者更小。 |
其他摘要 | 在实施例中,一种发光元件包括:基板;置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构;分别地连接到第一和第二导电半导体层的第一和第二电极;分别地连接到第一和第二电极的第一和第二结合焊盘;以及置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘体层。第一电极的第一厚度可以是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘体层的第二厚度的1/3或者更小。 |
主权项 | 一种发光器件,包括: 基板; 发光结构,所述发光结构置放在所述基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层; 第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别地连接到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层; 第一结合焊盘和第二结合焊盘,所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘分别地连接到所述第一电极和所述第二电极;以及 绝缘层,所述绝缘层置放在所述第一结合焊盘和所述第二电极之间以及在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间, 其中,所述第一电极具有第一厚度,所述第一厚度是置放在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。 |
申请日期 | 2016-03-16 |
专利号 | CN107431108A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201680018542.9 |
公开(公告)号 | CN107431108A |
IPC 分类号 | H01L33/36 | H01L33/48 | H01L33/62 |
专利代理人 | 达小丽 | 夏凯 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56051 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LG 伊诺特有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李尚烈,金会准,丁星好. 发光元件和发光元件封装. CN107431108A[P]. 2017-12-01. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN107431108A.PDF(1917KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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