Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 在耦合器上同时分配硅树脂 | |
| 其他题名 | 在耦合器上同时分配硅树脂 |
| 普利库马尔·杰罗梅瑞詹; 高皮纳斯·马斯; 泰·泽·修·加里 | |
| 2013-04-24 | |
| 专利权人 | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及在耦合器上同时分配硅树脂，公开了一种半导体器件及其制造方法。具体地，公开了用于制造光耦合器的方法和装置。更具体地，公开了用于将一个或多个密封剂材料沉积在光耦合器上的方法和装置。密封剂材料可以包括硅树脂，并且用于沉积硅树脂的装置可以被构造为同时将硅树脂沉积在光耦合器的不同侧上，由此减小制造步骤和时间。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及在耦合器上同时分配硅树脂，公开了一种半导体器件及其制造方法。具体地，公开了用于制造光耦合器的方法和装置。更具体地，公开了用于将一个或多个密封剂材料沉积在光耦合器上的方法和装置。密封剂材料可以包括硅树脂，并且用于沉积硅树脂的装置可以被构造为同时将硅树脂沉积在光耦合器的不同侧上，由此减小制造步骤和时间。 |
| 主权项 | 一种制造光耦合器的方法，包括： 在分配系统的引线框架保持件中定位包括一个或多个光耦合器的引线框架；以及 在基本相同的时刻将密封剂材料沉积在所述引线框架的第一侧和第二侧，使得所述一个或多个光耦合器的光学组件被密封在所述密封剂材料中。 |
| 申请日期 | 2012-10-24 |
| 专利号 | CN103065983A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210423030.4 |
| 公开（公告）号 | CN103065983A |
| IPC 分类号 | H01L21/56 | H01L25/16 | H01L23/31 | H01L21/67 |
| 专利代理人 | 王安武 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55935 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 普利库马尔·杰罗梅瑞詹,高皮纳斯·马斯,泰·泽·修·加里. 在耦合器上同时分配硅树脂. CN103065983A[P]. 2013-04-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103065983A.PDF（664KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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