发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统
其他题名	发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统
	张正训; 李定植; 任正淳; 金炳祚; 南承根
	2012-12-12
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2012-12-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种发光器件，包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层设置为彼此相邻，有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，阱层的能带隙小于势垒层的能带隙；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极，其中第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层、多重接触层以及第一电极和第二电极设置为具有相同的方向性。
其他摘要	一种发光器件，包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层设置为彼此相邻，有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，阱层的能带隙小于势垒层的能带隙；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极，其中第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层、多重接触层以及第一电极和第二电极设置为具有相同的方向性。
主权项	一种发光器件，包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层设置为彼此相邻，所述有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层的能带隙小于所述势垒层的能带隙；至少设置在所述第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，所述多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，所述第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，所述第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极；其中所述第一导电型半导体层、所述有源层、所述第二导电型半导体层、所述多重接触层以及所述第一电极和所述第二电极设置为具有相同的方向性。
申请日期	2012-04-09
专利号	CN102820397A
专利状态	授权
申请号	CN201210102050.1
公开（公告）号	CN102820397A
IPC 分类号	H01L33/38 \| H01L33/20 \| H01L33/62 \| F21S2/00 \| F21Y101/02
专利代理人	蔡胜有 \| 董文国
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55913
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张正训,李定植,任正淳,等. 发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统. CN102820397A[P]. 2012-12-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102820397A.PDF（1971KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文